半导体器件的沟槽刻蚀方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的沟槽刻蚀方法。半导体器件的沟槽刻蚀方法包括如下步骤：在衬底上沿远离衬底的方向依次叠置刻蚀停止层、绝缘层、介电抗反射涂层、NFC层、氧化物薄膜层、抗反射层和光刻胶层，光刻胶层具有刻蚀图形；依次对抗反射层、氧化物薄膜层、NFC层、介电抗反射涂层和绝缘层进行刻蚀，使得刻蚀停止层的部分表面裸露；通入由C<subgt;x</subgt;H<subgt;y</subgt;F<subgt;z</subgt;、C<subgt;a</subgt;F<subgt;b</subgt;、N<subgt;2</subgt;和Ar组成的多种气体的组合，调控多种气体的比例并对刻蚀停止层进行刻蚀，以在刻蚀停止层中形成不同形状的沟槽。本发明专利技术解决了现有技术中的半导体器件的沟槽加工存在沟槽形状、尺寸难以调整的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工，具体而言，涉及一种半导体器件的沟槽刻蚀方法。

技术介绍

1、在半导体制造的后道工序中，沟槽加工对于实现芯片内部的金属连线至关重要。然而，现有技术中的沟槽刻蚀面临诸多挑战：刻蚀选择性不足导致沟槽形状难以控制，掩模层稳定性差影响图形转移，副产物沉积增加填充难度及接触电阻，超微细沟槽尺寸一致性难以保证，以及过孔尺寸调节为降低接触电阻时，桥接风险显著增加。这些问题直接关系到器件的性能和可靠性。因此，开发一种能够精确控制沟槽底部形貌，有效调节接触电阻同时避免桥接效应的方法，成为半导体制造业亟待解决的关键技术问题。

2、也就是说，现有技术中的半导体器件的沟槽加工存在沟槽形状、尺寸难以调整的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供一种半导体器件的沟槽刻蚀方法，以解决现有技术中的半导体器件的沟槽加工存在沟槽形状、尺寸难以调整的问题。

2、为了实现上述目的，本专利技术的提供了一种半导体器件的沟槽刻蚀方法，包括如下步骤：在衬底上沿远离衬底的方向依次叠置刻蚀停止层、绝本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的沟槽刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述调控所述多种气体的比例并对所述刻蚀停止层(80)进行刻蚀，以在所述刻蚀停止层(80)中形成不同形状的沟槽(81)的步骤，包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件的沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述调控所述多种气体的比例并对所述刻蚀停止层(80)进行刻蚀，以在所述刻蚀停止层(80)中形成不同形状的沟槽(81)的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的半导体器件的沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述调控所述多种气体的比例并对所述刻蚀停止层(...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的沟槽刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述调控所述多种气体的比例并对所述刻蚀停止层(80)进行刻蚀，以在所述刻蚀停止层(80)中形成不同形状的沟槽(81)的步骤，包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件的沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述调控所述多种气体的比例并对所述刻蚀停止层(80)进行刻蚀，以在所述刻蚀停止层(80)中形成不同形状的沟槽(81)的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的半导体器件的沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述调控所述多种气体的比例并对所述刻蚀停止层(80)进行刻蚀，以在所述刻蚀停止层(80)中形成不同形状的沟槽(81)的步骤，包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件的沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述依次对所述抗反射层(20)、所述氧化物薄膜层(30)、所述nfc层(40)、所述介电抗反射涂层(50)和所述绝缘层(60)进行刻蚀，使得所述刻蚀停止层(80)的部分表面裸露的步骤中，包括：

6.根据权利要求5所述的半导体器件的沟槽刻蚀方法，其特征在于，在通入第一混合气...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁乐凡，林强，沈宇栎，程含月，马瑞，丁超，
申请(专利权)人：无锡芯卓湖光半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：