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本发明提供了一种半导体器件的沟槽刻蚀方法。半导体器件的沟槽刻蚀方法包括如下步骤：在衬底上沿远离衬底的方向依次叠置刻蚀停止层、绝缘层、介电抗反射涂层、NFC层、氧化物薄膜层、抗反射层和光刻胶层，光刻胶层具有刻蚀图形；依次对抗反射层、氧化物薄膜...
该专利属于无锡芯卓湖光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡芯卓湖光半导体有限公司授权不得商用。

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