【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，具体涉及一种键合半导体器件的方法、叠层半导体器件和电子设备。
技术介绍
1、为了提高单位晶圆面积上的半导体器件的布置数量，叠层半导体器件应运而生，在叠层半导体器件的制备过程中，封装和键合的质量是影响器件性能的关键因素之一。在先进封装的过程中，常用的键合方式为熔融键合和混合键合，其仍存在以下问题：1、主要利用的是水提供的-oh，与芯片或晶圆si-、si-o-等悬挂键形成si-oh后，再经过后续对准、键合、退火工艺形成si-o-si化学键，从而完成键合。在硅悬挂键与水分子接触的情况下，由于形成si-oh键所需的高激活能，在室温下形成si-oh的比例较低，影响到最终的键合强度；2、水、空气中的氧气结合更容易使键合界面的cu发生氧化，影响后续的电性连通效果；3、在后续退火的过程中，过量水分子作为脱附位点会形成空洞，导致键合强度降低；4、键合过程中采用ar/n2气体对键合界面进行等离子体轰击活化，等离子体源位于与基材相同的处理腔室内，这会使得在等离子体生成过程中腔室内发生刻蚀，由于并不像常规的刻蚀工艺后会接着灰化（asher）、湿法清洗（wet clean）等工艺，此时产生的灰尘、颗粒以及铜金属溅射等污染物会附着在键合界面上，从而阻碍了强键合的形成。因此，键合半导体器件的方法仍有待进一步改进。
技术实现思路
1、本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本申请提出一种键合强度高或电性连通效果好的一种键合半导体器件的方法、叠层半导体器件和电子设备。
...【技术保护点】
1.一种键合半导体器件的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述臭氧的质量浓度大于80%；和/或
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在与所述含有臭氧和不饱和烃气体的混合物接触之前，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述远程等离子体辅助处理采用N2等离子。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件各自独立的为晶圆或芯片。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一半导体器件还包括第一电性连接件，所述第一电性连接件设置在开口位于所述第一待键合表面上的第一过孔中；
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一电性连接件的材质与所述第二电性连接件的材质各自独立的包括铜和铝中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一电性连接件朝向所述第二半导体器件的表面为第三待键合表面，所述第二电性连接件朝向所述第一半导体器件的表面为第四待键合表面，所述方法还包括：
10.一种键合半导体器件的方法，其特征在于，包括：
11.一种叠层半导体器件，其特征在于，是通过权利要求1~10中任一项所述的方法制备得到的。
12.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求11所述的叠层半导体器件。
...【技术特征摘要】
1.一种键合半导体器件的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述臭氧的质量浓度大于80%；和/或
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在与所述含有臭氧和不饱和烃气体的混合物接触之前，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述远程等离子体辅助处理采用n2等离子。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件各自独立的为晶圆或芯片。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一半导体器件还包括第一电性连接件，所述第一电性连接件设置在开口位于所述第一待键合表面上的第一过孔中；
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【专利技术属性】
技术研发人员：章莱，刘括，王阳，
申请(专利权)人：北京芯力技术创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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