【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片测试，尤其涉及一种测试方法和测试系统。
技术介绍
1、随着技术的不断进步，nand flash(闪存芯片)的性能在存储密度、读写速度、耐用性等方面得到了显著提升，然而，随着系统的复杂性和应用需求的增加，如何精确评估nandflash的信号，尤其是在高负载和实际工作环境下的表现，成为了设计和开发过程中的一个关键挑战，传统的测试工具，如示波器、逻辑分析仪等，虽然可以帮助工程师对信号进行基本的时序和波形分析，但在实际应用中，搭载nand flash的存储装置通常会设置复杂的多层电路，需要面对大规模的数据传输以及高负载的场景，这些工具往往难以提供全面和真实的性能反馈，且示波器和逻辑分析仪需要手动配置和调试，操作复杂且容易出现人为错误。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种测试方法和测试系统，通过模拟闪存芯片在实际读写操作下的情况，降低了操作复杂性和人为错误的可能性。
2、本申请公开了一种测试方法，应用于闪存芯片，所述测试方法方法包括步骤：
3、输入随机数据
【技术保护点】
1.一种测试方法，应用于闪存芯片，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述输入随机数据至闪存芯片内的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在所述调整闪存芯片的运行频率，并在每个调整后的运行频率下分别进行随机数据的读写操作的步骤中，所述运行频率的范围是在0赫兹到265赫兹之间。
4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，还包括步骤：
5.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述读写操作包括读取操作和写入操作；
6.根据权利要求5所述的测试方法，其特...
【技术特征摘要】
1.一种测试方法，应用于闪存芯片，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述输入随机数据至闪存芯片内的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在所述调整闪存芯片的运行频率，并在每个调整后的运行频率下分别进行随机数据的读写操作的步骤中，所述运行频率的范围是在0赫兹到265赫兹之间。
4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，还包括步骤：
5.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述读写操作包括读取操作和写入操作；
6.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述低频为0～30赫兹之...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓志鹏，黄善勇，卢颖福，
申请(专利权)人：深圳市时创意电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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