【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料科学和电化学，具体涉及一种弯液面限域电沉积制备孪晶增强镀层的方法及其产品。
技术介绍
1、纳米孪晶材料具有特殊的微观结构，因其优异的力学性能和塑性、出色的热稳定性、高导电性能、以及加工硬化效应，受到了材料学界的广泛关注。孪晶是指两个晶体(或一个晶体的两部分)沿一个公共晶面构成镜面对称的位向关系，孪晶的形成与堆垛层错有密切关系。纳米孪晶材料可以通过多种方法制备，包括磁控溅射物理沉积、电沉积、塑性变形和热处理等，其在航空航天领域、电子器件领域、生物医用材料领域等应用前景广泛。
2、孪晶在构建兼具优异力学性能和卓越导电性能的微结构中扮演着至关重要的角色，动态电沉积过程中形成的“电化学梯度”可诱导孪晶的形成，如公开号为cn112239874a的中国专利文献公开了具有纳米孪晶结构的纯镍或镍基合金镀层及其电沉积制备方法，该专利技术采用的镀液组成主要包括镍源-硫酸镍、合金源(钼酸钠或硫酸钴或硫酸铜)、络合剂-柠檬酸钠、添加剂；其余为水；用直流电沉积制备的纯镍及镍合金镀层均由柱状晶粒组成，柱状晶粒内部含有高密度平行排列的孪...
【技术保护点】
1.一种弯液面限域电沉积制备孪晶增强镀层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的弯液面限域电沉积制备孪晶增强镀层的方法，其特征在于，预处理的方法为超声清洗。
3.根据权利要求1所述的弯液面限域电沉积制备孪晶增强镀层的方法，其特征在于，将预处理后的硅片置于等离子装置内部，通入氮气，在200-500W的功率下轰击90～150s，对预处理后的硅片进行等离子体处理。
4.根据权利要求1所述的弯液面限域电沉积制备孪晶增强镀层的方法，其特征在于，所述的金属盐选自硫酸铜、硫酸钴或硫酸镍，所述的酸选自硫酸、盐酸或硝酸。
<...【技术特征摘要】
1.一种弯液面限域电沉积制备孪晶增强镀层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的弯液面限域电沉积制备孪晶增强镀层的方法，其特征在于，预处理的方法为超声清洗。
3.根据权利要求1所述的弯液面限域电沉积制备孪晶增强镀层的方法，其特征在于，将预处理后的硅片置于等离子装置内部，通入氮气，在200-500w的功率下轰击90～150s，对预处理后的硅片进行等离子体处理。
4.根据权利要求1所述的弯液面限域电沉积制备孪晶增强镀层的方法，其特征在于，所述的金属盐选自硫酸铜、硫酸钴或硫酸镍，所述的酸选自硫酸、盐酸或硝酸。
5.根据权利要求1所述的弯液面限域电沉积制备孪晶增强镀层的方法，其特征在于，所述的电解液中，金属盐的阴离子与酸根离子相同。
6.根据权利要求1所述的弯液面限域电沉积制备孪晶增强镀层的方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：柴曦茹，郭建军，吕晓静，任馨，许继涛，程昱川，孙爱华，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：
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