一种基于3D模型关系的OCD测量方法技术

本发明专利技术提供一种基于3D模型关系的OCD测量方法，包括：采集显微镜在不同高度时3D量测对象的平面量测结果，每个平面量测结果对应一个取图序号；建立平面量测结果、取图序号和3D量测对象的3D模型关系；根据所述平面量测结果、取图序号和3D量测对象的3D模型关系计算所述3D量测对象的光学关键尺寸。本发明专利技术的关键点是，（1）简单采用不同高度下的2D成像构建3D模型的方式；（2）利用G、B色光下量测对象的不同表现特征进行数据融合；（3）利用数据的收敛和波动规律推断感兴趣的关键尺寸。本发明专利技术的优点在于：通过大量的数据验证，该方法稳定性和准确性较好，和CDSEM匹配度较高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆、显示面板，具体涉及一种基于3d模型关系的ocd测量方法。

技术介绍

1、在面对多层叠加、3d形体、膜厚变化的复杂制程环境下，采用平面测量方法时有如下问题：

2、(1)平面显微镜无法稳定聚焦到某一层或位置；

3、(2)在敏感位置，聚焦高度稍微有些变化，量测值差别比较大；

4、(3)无法确定在哪个高度下量测才是正确的尺寸。

5、以上问题，2d量测方法面对3d环境下的量测稳定性比较差，准确性无法保证，可信度不高。

6、随着半导体、显示面板行业的发展，集成电路制造工艺不断提高，制程越来越复杂。为保障工艺质量，在制造过程中需要精准的监控来把控质量和及时调整工艺，ocd(光学关键尺寸)量测就是一项非常重要的监控手段。面对膜比较薄或平面的制程，一般采用2d的量测方法，而对于膜比较厚或3d形体的制程，采用2d量测方法无法满足需求，无法精准、稳定量测，所以需要更加准确、稳定、高效的3d量测方法来应对。

7、现有技术一般有：(1)采用多维度采集，需要将多个采集器集成，不同角度、方位的数本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于3D模型关系的OCD测量方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种基于3D模型关系的OCD测量方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的一种基于3D模型关系的OCD测量方法，其特征在于，

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种基于3D模型关系的OCD测量方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的一种基于3D模型关系的OCD测量方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的一种基于3D模型关系的OCD测量方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的一种基于3D模型关系的OCD测量方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种基于3d模型关系的ocd测量方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种基于3d模型关系的ocd测量方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的一种基于3d模型关系的ocd测量方法，其特征在于，

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种基于3d模型关系的ocd测量方法，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：张梁，陈盛闯，李波，
申请(专利权)人：中导光电设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：