【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种晶圆的温度处理方法、电镀设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
1、先进封装技术中涉及对晶圆的电镀，在电镀之前，需要在晶圆的一侧涂布光刻胶，再通过曝光、显影等工艺在光刻胶上刻蚀形成待电镀的特征形状，特征形状经电镀之后会被填充。在电镀过程中，晶圆只有具有特征形状的一侧才能接触电镀液，不然晶圆会被电镀液腐蚀从而损坏晶圆，电镀设备也会受污染影响生产效率。
2、晶圆涂布有光刻胶的一侧为晶圆的正面，未涂布光刻胶的一侧为晶圆的背面，为了避免镀液侵蚀晶圆的背面，晶圆的电镀过程常采用电镀夹具来夹持晶圆。电镀夹具包括底座和压盘，底座呈环形，且上侧设置有密封圈，晶圆的正面朝下设置且边缘搭接在密封圈上，压盘自上而下将晶圆压在密封圈上。
3、晶圆电镀的大致过程为：(1)将夹持有晶圆的夹具置入镀液中，对晶圆进行电镀；(2)将夹持有晶圆的电镀夹具从镀液中升起，并进行甩液、清洗、甩干等后处理步骤；(3)打开夹具并通过机械手将完成电镀的晶圆从夹具中取出。
4、现有技术中，当电镀液温度较高时，如60度，...
【技术保护点】
1.晶圆的温度处理方法，应用于电镀设备，所述电镀设备至少包括用于夹持固定晶圆的夹具，其特征在于，所述晶圆的温度处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆的温度处理方法，其特征在于，所述夹具包括用于密封所述晶圆的密封圈，所述密封圈用于在将所述晶圆放入所述夹具后对所述晶圆进行密封以使得所述夹具能够携带所述晶圆浸入电镀液；
3.根据权利要求1所述的晶圆的温度处理方法，其特征在于，所述夹具包括底座、压盘以及设置于所述底座或者所述压盘上的温测部件，所述温测部件用于检测所述晶圆的正面或/和背面的温度；
4.根据权利要求1所述的晶圆的温度处理方...
【技术特征摘要】
1.晶圆的温度处理方法，应用于电镀设备，所述电镀设备至少包括用于夹持固定晶圆的夹具，其特征在于，所述晶圆的温度处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆的温度处理方法，其特征在于，所述夹具包括用于密封所述晶圆的密封圈，所述密封圈用于在将所述晶圆放入所述夹具后对所述晶圆进行密封以使得所述夹具能够携带所述晶圆浸入电镀液；
3.根据权利要求1所述的晶圆的温度处理方法，其特征在于，所述夹具包括底座、压盘以及设置于所述底座或者所述压盘上的温测部件，所述温测部件用于检测所述晶圆的正面或/和背面的温度；
4.根据权利要求1所述的晶圆的温度处理方法，其特征在于，在所述夹具带动晶圆从电镀液中升起后，对所述晶圆进行降温，之后，所述晶圆的温度处理方法还包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆的温度处理方法，其特征在于，执行所述第一工艺时，检测所述晶圆的温度没有降低到目标温度时，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的晶圆的温度处理方法，其特征在于，执行所述第二工艺时，检测所述晶圆的温度没有降低到目标温度时，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的晶圆的温度处理方法，其特征在于，执行所述第三工艺时，检测所述晶圆的温度没有降低到目标温度时，所述方法还包括：
8.根据权利要求1所述的晶圆的温度处理方法，其特征在于，所述晶圆的温度处理方法还包括：
9.根据权利要求8所述的晶圆的温度处理方法，其特征在于，所述夹具包括底座与压盘，所述底座上设置有密封圈，所述密封圈包括密封环，所述压盘的边缘位置设置有制冷件，所述制冷件的表面与所述密封环的上表面在上下空间位置上相互对应，且所述制冷件在竖直方向上的投影大于或等于所述密封环的上表面在竖直...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁德富，田玉峰，林佳继，
申请(专利权)人：江苏无锡经纬天地半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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