【技术实现步骤摘要】
本申请涉及氮化铝晶体提纯生产的，尤其是涉及一种氮化铝提纯用烧结装置及其提纯工艺。
技术介绍
1、氮化铝（aln）作为超宽带隙半导体材料的典型代表，其优异的光、电、热学性质非常适合用于射频（微波功率）器件、大功率器件、体/表声波器件以及超短波光电子器件的制备。aln晶体的热激发弱、直接带隙、吸收边在深紫外波段（200nm）的特点，可用于深紫外二极管、激光器及探测器的制备，在紫外消毒、导弹预/告警、太空探测等领域具有重要的应用前景。其大的带宽、高的热导率、高的击穿场强及高的饱和电子迁移率等优异性质，适用于电力电子器件的制备，在5g/6g通讯、特高压输电系统、雷达、电动汽车等领域具有巨大的应用潜力。此外，aln与algan属同族材料，晶格失配和热失配小，两者之间的晶格失配最大为2.4％，是外延algan最优异的衬底材料；与异质衬底（si、sic、sapphire）相比，位错密度降低3～4个数量级。因此，aln晶体材料的制备意义重大。
2、物理气相传输（pvt）法被公认为是生长aln晶体最有效的方法之一，其基本原理为：aln源在高温...
【技术保护点】
1.一种氮化铝提纯用烧结装置，包括炉体（1），所述炉体（1）内设置有多层保温层（2），多层所述保温层（2）中心设置有生长腔室（11），所述生长腔室（11）中心设置有用于存放原料的坩埚（4），所述坩埚（4）顶部设置有盖体（5），所述坩埚（4）和盖体（5）之间成型有间隙，使所述坩埚（4）内部和炉体（1）内连通，所述生长腔室（11）内还设置有用于加热的加热器（3），其特征在于：所述生长腔体下侧的多层保温层（2）上设置有充气通道（12），所述生长腔体上侧的多层保温层（2）上设置有抽气通道（15），所述充气通道（12）背离生长腔体的一端与炉体（1）外部的充气泵连通设置，所述抽气...
【技术特征摘要】
1.一种氮化铝提纯用烧结装置，包括炉体（1），所述炉体（1）内设置有多层保温层（2），多层所述保温层（2）中心设置有生长腔室（11），所述生长腔室（11）中心设置有用于存放原料的坩埚（4），所述坩埚（4）顶部设置有盖体（5），所述坩埚（4）和盖体（5）之间成型有间隙，使所述坩埚（4）内部和炉体（1）内连通，所述生长腔室（11）内还设置有用于加热的加热器（3），其特征在于：所述生长腔体下侧的多层保温层（2）上设置有充气通道（12），所述生长腔体上侧的多层保温层（2）上设置有抽气通道（15），所述充气通道（12）背离生长腔体的一端与炉体（1）外部的充气泵连通设置，所述抽气通道（15）背离生长腔体的一端与炉体（1）外部的抽气泵连通设置，上侧多层所述保温层（2）之间设置有固体沉积物收集板（6），所述固体沉积物收集板（6）呈水平设置，当所述坩埚（4）内原料温度达到2100～2250℃时，所述固体沉积物收集板（6）上的温度约为1700～1900℃。
2.根据权利要求1所述的一种氮化铝提纯用烧结装置，其特征在于：所述抽气通道（15）在多层保温层（2）上设置有多个，所述抽气通道（15）的内径为5～30mm，多个所述抽气通道（15）轴线方向与固体沉积物收集板（6）外表面垂直，任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：覃佐燕，殷利迎，
申请(专利权)人：辽宁盛晶源半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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