半导体工艺用抛光组合物及利用其的基板的抛光方法技术

根据本说明书的一实施例的半导体工艺用抛光组合物包含抛光粒子、聚氧化亚烷基系表面活性剂及以下化学式1的偏斜(skew)抑制剂。聚氧化亚烷基系表面活性剂的亲水亲油平衡(Hydrophile‑Lipophile Balance，HLB)值为13以上。在以下化学式1中，R1为H、甲基或乙基，R2、R3及R4分别独立地为甲基或乙基。当适用具有这种特征的抛光组合物抛光包含两种以上的膜的基板时，上述抛光组合物可在呈现规定水平以上的抛光速度的同时实现更平滑的被抛光面。[化学式1]

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及半导体工艺用抛光组合物及利用其的基板的抛光方法。

技术介绍

1、随着半导体器件更加微细化、高密度化，使用更加微细的图案形成技术。由此，半导体器件的表面结构变得更加复杂，层间膜的段差也变得更大。在制造半导体器件的过程中，作为用于去除形成于基板上的特定膜中的段差的平坦化技术，利用化学机械抛光(chemical mechanical polishing，以下称为“cmp”)工艺。

2、cmp工艺通过向抛光垫提供浆料，且基板加压、旋转而抛光表面。根据工艺的步骤，所要平坦化的对象不同，此时适用的浆料的物性也有所差异。

3、金属布线形成之后的抛光需要在将碟形(dishing)缺陷等最小化的同时保持充分的抛光率及抛光速度。

4、上述的
技术介绍
为专利技术人为了导出本专利技术而拥有，或在导出本专利技术的过程中得到的技术信息，不一定是在申请本专利技术之前向普通公众公开的公知技术。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、(专利文献1)韩国国内授权专利第10-0516886号>

8、(专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

>9.根据权利要求1...

【技术特征摘要】

1.一种半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：韩德洙，朴韩址，崔容寿，
申请(专利权)人：SK恩普士有限公司，
类型：发明
国别省市：

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