【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子产品保护膜，具体涉及一种抗静电tac高透硅胶保护膜及其制备方法。
技术介绍
1、随着电子产品的日益迅速发展，与电子产品相关的配套产品也得到了发展，其中就包括了电子产品屏幕及相关保护膜产品。
2、tac(三醋酸纤维)膜是一种光学性能优异的保护膜材料，其具有高透过率，低折射率的优点，大量应用在电子产品保护膜领域。但tac膜易产生静电、易受热变形、脆性较大且粘结性能较差，限制了其应用。
3、专利申请文件cn 116102793 a公开了一种三醋酸纤维素酯薄膜，按重量份计，其原料包括：酰化纤维素酯80-100份，增塑剂5-20份，增韧剂1-10份，溶剂100-300份，碳原子数1-4的醇10-50份，紫外吸收剂0.1-3份，消光剂0.1-2份。该三醋酸纤维素酯薄膜具有极佳的阻水、耐久性能和尺寸稳定性，增塑剂、增韧剂与三醋酸纤维素酯的相容性佳，能够大幅度的减少析出，提高了产品的外观质量，并且其光学性能更加优异。但其并未解决tac膜易产生静电及粘结性能较差的缺陷。
技术实现思路<
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【技术保护点】
1.一种抗静电TAC高透硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：
2.根据权利要求1所述的一种抗静电TAC高透硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述有机抗静电剂为纤维素硫酸钠，有机抗静电剂的加入量为TAC质量的0.5％～3％。
3.根据权利要求1所述的一种抗静电TAC高透硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、丙酮、二氯甲烷中的一种或两种以上的混合溶剂。
4.根据权利要求1所述的一种抗静电TAC高透硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述抗静电TA...
【技术特征摘要】
1.一种抗静电tac高透硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：
2.根据权利要求1所述的一种抗静电tac高透硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述有机抗静电剂为纤维素硫酸钠，有机抗静电剂的加入量为tac质量的0.5％～3％。
3.根据权利要求1所述的一种抗静电tac高透硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述有机溶剂为n-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、丙酮、二氯甲烷中的一种或两种以上的混合溶剂。
4.根据权利要求1所述的一种抗静电tac高透硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述抗静电tac膜的厚度为10～100μm。
5.根据权利要求1所述的一种抗静电tac高透硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述有机硅压敏胶液包括乙烯基聚硅氧烷、含氢聚硅氧烷、乙烯基硅烷偶联剂、异氰酸酯基硅烷偶联剂、铂金催化剂、抑制剂和稀释溶剂。
6.根据权利要求5所述的一种抗静电tac高透硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，所述乙烯基聚硅氧烷的分子量为5～50万，乙烯基含量为0.2％～10％；所述含氢聚硅氧烷的分子量为0.5～5万，氢含量为0.2％～1％；所述含氢聚硅氧烷的加入量为乙烯基聚硅氧烷质量的5％～50...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘新宝，
申请(专利权)人：东莞市墨田科技实业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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