【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体产品及半导体工艺，特别是涉及一种谐振滤波器及其制作方法。
技术介绍
1、体声波谐振器具有良好的带通性能，因此可以利用体声波谐振器实现滤波器的通带性能。兰姆波谐振器具有良好的阻带性能，因此可以利用兰姆波谐振器实现滤波器的阻带性能。在这种情况下，如果能够将体声波谐振器和兰姆波谐振器进行结合，形成的谐振滤波电路就可以在实现优异带通性能的基础上灵活地配置谐振波滤电路的阻带频率。目前，体声波谐振器和兰姆波谐振器都是通过各自的工艺独立形成的器件，因此只能将独立形成的体声波谐振器和兰姆波谐振器组合在一起构建谐振滤波电路。
2、由于体声波谐振器和兰姆波谐振器都是独立的谐振滤波器件，因此谐振滤波电路的集成度低，并且由于体声波谐振器和兰姆波谐振器是分别通过各自的工艺形成的，因此构建谐振滤波电路的工艺成本也很高昂。
3、针对上述的现有技术中存在的由体声波谐振器和兰姆波谐振器构成的谐振滤波电路集成度低且工艺成本高的技术问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、本...
【技术保护点】
1.一种谐振滤波器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的谐振滤波器，其特征在于，所述第二电极结构（132）包括叉指电极，并且，所述第一电极结构（131）和所述第二电极结构（132）位于所述压电层（140）的第一侧，其中所述压电层（140）的第一侧与所述第一衬底（210）相背离。
3.根据权利要求2所述的谐振滤波器，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的谐振滤波器，其特征在于，所述谐振滤波结构还包括：
5.根据权利要求3所述的谐振滤波器，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的谐振滤波器，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种谐振滤波器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的谐振滤波器，其特征在于，所述第二电极结构（132）包括叉指电极，并且，所述第一电极结构（131）和所述第二电极结构（132）位于所述压电层（140）的第一侧，其中所述压电层（140）的第一侧与所述第一衬底（210）相背离。
3.根据权利要求2所述的谐振滤波器，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的谐振滤波器，其特征在于，所述谐振滤波结构还包括：
5.根据权利要求3所述的谐振滤波器，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的谐振滤波器，其特征在于，所述第二衬底（250）的第二侧设置有与所述体声波谐振结构（bawr）和所述兰姆波谐振结构（lwr）电连接的导电电极。
7.根据权利要求6所述的谐振滤波器，其特征在于，所述导电电极包括第一导电电极（270a）和第二导电电极（270b），...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁骥，邹洁，冯端，高海婷，张琪，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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