【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件领域，尤其涉及一种压电mems谐振器以及电子元件。
技术介绍
1、谐振器是振荡器的核心器件，由于静电驱动的硅基mems谐振器具有更小的尺寸，更低的制造成本和更高的可靠性，以由静电驱动的硅基mems谐振器为核心器件的mems振荡器随着日趋成熟的技术，有望成为传统石英振荡器的替代品。
2、随着压电薄膜材料的发展，相比于静电驱动的硅基mems谐振器，基于压电驱动的硅基mems谐振器(简称为“压电驱动硅基mems谐振器”)表现出更低的运动阻抗(motionalimpedance)和更高的机电耦合系数等优良性能，更加有利于降低振荡器的功耗和相位噪声。
3、压电驱动硅基mems谐振器由于不需要施加静电偏置电压，因此，减少了由供电电源抖动而对输出信号产生的误差项；另外，压电驱动硅基mems谐振器在加工中不需要形成亚微米级的硅层狭缝，降低了工艺难度，有利于提升器件良率，同时有利于器件进一步小型化。
4、压电驱动硅基mems谐振器常采用晶圆级封装结构，为了保证压电驱动硅基mems谐振器具有较小尺寸，...
【技术保护点】
1.一种压电MEMS谐振器，所述谐振器包括盖帽晶圆和器件晶圆，其特征在于，所述盖帽晶圆包括盖帽层，
2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的谐振器，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，
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