【技术实现步骤摘要】
本公开一般涉及晶体炉的运行监测方法，具体涉及一种多工位坩埚晶体炉的运行监测方法以及多工位坩埚晶体炉。
技术介绍
1、多工位坩埚下降法是一种先进的晶体生长技术，它是在传统的坩埚下降法的基础上发展起来的。这种方法的主要特点是可以同时处理多个坩埚，提高了生产效率，适用于大规模的生产需求。
2、多工位坩埚晶体炉在提高生产效率和自动化程度方面有显著优势，通常会采用统一的控制平台和晶体生长系统，保证多工位坩埚内的晶体可以在相对短的制备生长周期短中同步稳定生长。
3、但，由于当下的多工位坩埚多为联动控制，无法进行独立的风险监测以及后续的风险补救，导致即便在一定程度上满足了大规模的生产需求，但同样因为无法灵活地调控各工位，使得生产周期极易被打乱，管理人员也无法及时调整生产计划。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种一种多工位坩埚晶体炉的运行监测方法以及多工位坩埚晶体炉。
2、第一方面，本专利技术提供一种多工位坩埚晶体炉的运行监测方法，所述晶体炉...
【技术保护点】
1.一种多工位坩埚晶体炉的运行监测方法，其特征在于，所述晶体炉（1）包括有多个独立设置的晶体培育区（2）和一个备用培育区（3），且每个所述晶体培育区（2）和备用培育区（3）内均具有至少两个坩埚工位（4），所述坩埚工位（4）用于放置培育晶体的坩埚（5）；每个所述晶体培育区（2）以及所述备用培育区（3）均对应设置一组升降组件，所述升降组件包括多个推动件（6），且每个所述推动件（6）分别对应于一个所述坩埚工位（4），同一组所述升降组件的所述推动件（6）可以同步或者独立运行；
2.根据权利要求1所述的多工位坩埚晶体炉的运行监测方法，其特征在于，所述升降组件包括一个...
【技术特征摘要】
1.一种多工位坩埚晶体炉的运行监测方法，其特征在于，所述晶体炉（1）包括有多个独立设置的晶体培育区（2）和一个备用培育区（3），且每个所述晶体培育区（2）和备用培育区（3）内均具有至少两个坩埚工位（4），所述坩埚工位（4）用于放置培育晶体的坩埚（5）；每个所述晶体培育区（2）以及所述备用培育区（3）均对应设置一组升降组件，所述升降组件包括多个推动件（6），且每个所述推动件（6）分别对应于一个所述坩埚工位（4），同一组所述升降组件的所述推动件（6）可以同步或者独立运行；
2.根据权利要求1所述的多工位坩埚晶体炉的运行监测方法，其特征在于，所述升降组件包括一个气源（7）和若干与所述气源（7）连通的气路（8）；每个所述推动件（6）均与一个所述气路（8）相连通，用于当对应所述气路（8）导通时，驱动所述推动件（6）带动所述坩埚（5）移动；
3.根据权利要求1所述的多工位坩埚晶体炉的运行监测方法，其特征在于，根据目标坩埚培育的晶体类型，选取补偿坩埚（51）并确定所述备用培育区（3）的培育条件参数，具体包括：
4.根据权利要求3所述的多工位坩埚晶体炉的运行监测方法，其特征在于，根据所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李端科，李再兴，李浩毅，王剑刚，
申请(专利权)人：中能兴盛香河半导体精密制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。