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本发明公开了一种多工位坩埚晶体炉的运行监测方法以及多工位坩埚晶体炉,涉及晶体炉的运行监测方法技术领域。其中,运行监测方法包括:获取各晶体培育区的坩埚内的晶体的实时生长参数;将实时生长参数与相应的预设晶体生长指标不符的晶体对应的坩埚作为目标坩...该专利属于中能兴盛(香河)半导体精密制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中能兴盛(香河)半导体精密制造有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种多工位坩埚晶体炉的运行监测方法以及多工位坩埚晶体炉,涉及晶体炉的运行监测方法技术领域。其中,运行监测方法包括:获取各晶体培育区的坩埚内的晶体的实时生长参数;将实时生长参数与相应的预设晶体生长指标不符的晶体对应的坩埚作为目标坩...