RFSOI结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供RFSOI结构及其形成方法，通过在支撑晶圆上依次形成第一电荷捕获层和第二电荷捕获层，第一电荷捕获层与第二电荷捕获层的材料不同且第二电荷捕获层的绝缘性高于第一电荷捕获层的绝缘性。由于第二电荷捕获层具有高绝缘性，可以有效提高衬底的电绝缘，从而增强RFSOI结构的射频性能。由于增加了第二电荷捕获层，本发明专利技术无需设置较厚的第一电荷捕获层即可增强RFSOI结构的射频性能，因此，本发明专利技术减薄了第一电荷捕获层的厚度，第一电荷捕获层厚度较薄、晶粒较小、晶界较多，对电荷的捕获能力较强，也即提高了第一电荷捕获层对电荷的捕获能力，以及减薄了第一电荷捕获层的厚度同时降低了RFSOI结构的翘曲度。如此，本发明专利技术提升了RFSOI结构的几何性能和射频性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种rfsoi结构及其形成方法。

技术介绍

1、soi(silicon-on-insulator，绝缘体上硅)是一种半导体材料，在这种材料中，薄层的硅被放置在一个绝缘层(通常是二氧化硅)之上。这种结构可以改善器件的性能，并减少寄生电容和漏电流，从而提高电源效率和信号性能。此外，soi技术有助于减小器件尺寸，满足现代电子设备日益小型化的要求。

2、rfsoi(radio frequency silicon-on-insulator，射频绝缘体上硅)是一种结合了射频(rf)技术与soi的新兴技术。这种技术主要应用于射频集成电路(rfic)、射频前端模块以及其他无线通信设备中。rfsoi在高频运作中表现良好，能够处理高频信号，同时减小信号损失。由于soi材料特性，rfsoi电路通常具有较低的功耗，有助于提高移动设备的电池寿命。rfsoi允许在一个芯片上集成更多的功能，缩减了设备的尺寸，提高了系统的可靠性。rfsoi结构可以有效地管理热量分散，降低热影响对电路性能的负面影响。

3、rfsoi通过在支撑晶圆和埋本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种RFSOI结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的RFSOI结构的形成方法，其特征在于，采用常压化学气相沉积工艺形成所述第一电荷捕获层，采用原子层沉积工艺形成所述第二电荷捕获层。

3.根据权利要求1所述的RFSOI结构的形成方法，其特征在于，所述第一电荷捕获层为多晶硅或者多孔硅，所述第二电荷捕获层为氧化铝。

4.根据权利要求1所述的RFSOI结构的形成方法，其特征在于，所述第一电荷捕获层的厚度为0.01微米至0.05微米，所述第二电荷捕获层的厚度为0.01微米至0.05微米。

5.根据权利要求1所述的RFSOI结...

【技术特征摘要】

1.一种rfsoi结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的rfsoi结构的形成方法，其特征在于，采用常压化学气相沉积工艺形成所述第一电荷捕获层，采用原子层沉积工艺形成所述第二电荷捕获层。

3.根据权利要求1所述的rfsoi结构的形成方法，其特征在于，所述第一电荷捕获层为多晶硅或者多孔硅，所述第二电荷捕获层为氧化铝。

4.根据权利要求1所述的rfsoi结构的形成方法，其特征在于，所述第一电荷捕获层的厚度为0.01微米至0.05微米，所述第二电荷捕获层的厚度为0.01微米至0.05微米。

5.根据权利要求1所述的rfsoi结构的形成方法，其特征在于，所述rfsoi结构的翘曲度小于50微米，所述rfsoi结构的二次谐波损耗小于或等于-100dbm。

6.根据权利要求1所述的rfsoi结构的形成方法，其特征在于，在执行键合工艺之前，执行离子注入工艺，在所述器件晶圆的埋氧层下方且靠近所述埋氧层与所述器件晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪子文，李名浩，魏星，李炜，
申请(专利权)人：上海新傲芯翼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：