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本发明提供RFSOI结构及其形成方法，通过在支撑晶圆上依次形成第一电荷捕获层和第二电荷捕获层，第一电荷捕获层与第二电荷捕获层的材料不同且第二电荷捕获层的绝缘性高于第一电荷捕获层的绝缘性。由于第二电荷捕获层具有高绝缘性，可以有效提高衬底的电绝...
该专利属于上海新傲芯翼科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新傲芯翼科技有限公司授权不得商用。

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