【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及mems传感器，特别是一种磁屏蔽外壳结构及优选方法。
技术介绍
1、传感器在实际应用中常常会受到外界电磁干扰的影响，特别是对于复杂电磁环境中的干扰信号无法有效的抑制，这可能会导致传感器性能的不稳定，导致测量结果的准确性。本专利技术提出的一种低功耗的基于坡莫合金的磁屏蔽外壳结构是一种重要的辅助装置，能够吸收和反射电磁波，隔离外界干扰，同时优选屏蔽壳的厚度能够提高传感器的稳定性，从而提升灵敏度和工作性能，并有效减小了整个装置的功耗。
技术实现思路
1、鉴于上述磁屏蔽外壳结构中存在的问题，提出了本专利技术。
2、因此，本专利技术所要解决的问题在于如何提供一种低功耗的外壳结构。
3、为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种磁屏蔽外壳结构，其包括，屏蔽壳，其包括收纳壁，所述收纳壁至少设有多个，并且多个所述收纳壁依次收尾相连；
4、多个所述收纳壁之间形成容纳空间，所述容纳空间用于放置传感器；
5、其中，多个所述收纳壁的厚度为0....
【技术保护点】
1.一种磁屏蔽外壳结构，其特征在于：包括，
2.如权利要求1所述的磁屏蔽外壳结构，其特征在于：所述屏蔽壳(100)的收纳壁设有四个，四个所述收纳壁依次收尾相连，并且四个所述收纳壁之间的容纳空间为矩形。
3.如权利要求1或2所述的磁屏蔽外壳结构，其特征在于：所述屏蔽壳(100)的材料为由导电性能良好的导电材料。
4.如权利要求3所述的磁屏蔽外壳结构，其特征在于：所述屏蔽壳(100)的厚度为5mm。
5.如权利要求4所述的磁屏蔽外壳结构，其特征在于：所述屏蔽壳(100)的所述容纳空间在水平面上的投影与所述传感器在水平面上的投
<...【技术特征摘要】
1.一种磁屏蔽外壳结构，其特征在于：包括，
2.如权利要求1所述的磁屏蔽外壳结构，其特征在于：所述屏蔽壳(100)的收纳壁设有四个，四个所述收纳壁依次收尾相连，并且四个所述收纳壁之间的容纳空间为矩形。
3.如权利要求1或2所述的磁屏蔽外壳结构，其特征在于：所述屏蔽壳(100)的材料为由导电性能良好的导电材料。
4.如权利要求3所述的磁屏蔽外壳结构，其特征在于：所述屏蔽壳(100)的厚度为5mm。
5.如权利要求4所述的磁屏蔽外壳结构，其特征在于：所述屏蔽壳(100)的所述容纳空间在水平面上的投影与所述传感器在水平面上的投影相重合。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：周柯，金庆忍，俞小勇，莫枝阅，王晓明，廖文涛，卢柏桦，杨雄杰，刘鹏，
申请(专利权)人：广西电网有限责任公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：
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