一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法，所述低介电常数的聚酰亚胺薄膜的制备原料包括二酐单体、二胺单体和聚环氧烷封端剂，所述聚环氧烷封端剂包括氨基封端聚环氧烷和/或酐基封端聚环氧烷，所述氨基封端聚环氧烷具有式Ⅰ所示结构，所述酐基封端聚环氧烷具有式Ⅱ所示结构，采用上述特定结构的氨基封端聚环氧烷和/或酐基封端聚环氧烷作为封端剂，搭配二胺单体和二酸单体，可以使制备得到的聚酰亚胺薄膜具有孔洞结构，进而具有较低的介电常数，适合在微电子领域应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于聚酰亚胺，具体涉及一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、聚酰亚胺(pi)薄膜已广泛应用于微电子等行业，如航空航天和军事集成电路的α粒子屏蔽层、5g手机的天线材料和微机电工艺材料。然而，普通芳香族pi的介电常数较高，通常在3.1～4.8c2/(n·m2)(1ghz)左右，不能满足微电子工业对介电性能持续降低的要求。因此，对具有低介电常数k(k＜3.0)pi膜的开发一直是研究者研究的重点。

2、常规pi薄膜的制备方法是通过先制备成聚酰胺酸浆料，随后通过高温将聚酰胺酸进行脱水实现亚胺化，然而聚酰胺酸的反应为可逆反应，因此，为了保持聚酰胺酸的稳定性，必须将聚酰胺酸低温下保持，当然也可以通过加入封端剂来减缓聚酰胺酸的粘度变化，提升其存储稳定性，但往往也会损失聚酰亚胺的机械性能。

3、为了降低聚酰亚胺的介电常数，可以向聚酰亚胺中加入介电常数更低的物质。cn111844976a公开了一种聚酰亚胺-氟聚合物绝缘复合材料的制备方法、制备方法及其应用，方法包括以下步骤：1)将聚酰亚胺膜表面经电晕工艺处理后，涂覆氟聚合物本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的低介电常数的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述二甲基乙酰胺、4,4'-二氨基二苯醚、均苯四甲酸二酐和聚环氧烷封端剂M2的质量比为772.42：58.87：65.44：13.44。

3.根据权利要求1或2所述的低介电常数的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述反应的温度为0～10℃，反应的时间为15～25h。

4.根据权利要求3所述的低介电常数的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚酰胺酸浆料的固含为15％，黏度为78800cp。

5....

【技术特征摘要】

1.一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的低介电常数的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述二甲基乙酰胺、4,4'-二氨基二苯醚、均苯四甲酸二酐和聚环氧烷封端剂m2的质量比为772.42：58.87：65.44：13.44。

3.根据权利要求1或2所述的低介电常数的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述反应的温度为0～10℃，反应的时间为15～25h。

4.根据权利要求3所述的低介电常数的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄方东，张鹏飞，
申请(专利权)人：宁波博雅聚力新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：