【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、太阳能电池是通过光生伏特效应将光转换为电能的装置，作为一种清洁、安全、便利的可再生能源，已被广泛利用，隧穿氧化层钝化接触(topcon)技术是目前拥有产能最高的太阳能电池新技术，通过隧穿氧化层和掺杂多晶硅层叠层，实现了化学钝化和场效应钝化。
2、然而，传统的太阳能电池制备方法通常采用低压力化学气相沉积(lpcvd)与非原位扩散结合的方法或者等离子体化学气相沉积(pecvd)与高温退火结合的方法在硅片的绒面上制备隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，然而，传统的制备方法会导致膜层的缺陷和损伤，降低膜层的钝化效果，同时降低接触性能，进而影响太阳能电池的转化效率，从而限制了topcon电池的进一步发展和应用。
3、因此，亟需一种能够提高太阳能电池正面的钝化性能和接触性能，提高电池转化效率的制备方法。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种太阳能电池及其制备方法。本专利技术提供的太阳能电池制备方法能够有效优化太阳能电池正面的膜层结构，同时提高钝化性能和接触性能，制得的太阳能电池具有优异的电池转化效率。
2、本专利技术提供一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
3、s1、硅片进行双面抛光；
4、s2、通过低压化学气相沉积在硅片的正面依次沉积正面隧穿氧化层和多晶硅层；
5、s3、硅片的正面进行高温退火；
6、s4、硅片的正面进
7、s5、硅片的正面进行硼扩散，使所述多晶硅层形成硼掺多晶硅层；
8、s6、硅片的背面进行第二次湿法刻蚀，去除硅片背面上的所有层，并腐蚀部分硅片；
9、s7、硅片的正面进行制绒，去除正面的硼硅玻璃层，并使所述硼掺多晶硅层中远离所述正面隧穿氧化层的表面形成绒面；
10、s8、硅片的双面均制备钝化层及减反射层；
11、s9、制备正电极和负电极。
12、在其中一个实施例中，在沉积所述正面隧穿氧化层时，温度为580℃～680℃，时间为0.2h～1h，压强为500torr～800torr；
13、及/或，在沉积所述多晶硅层时，温度为550℃～700℃，时间为0.5h～2.5h，压强为200torr～400torr。
14、在其中一个实施例中，在高温退火步骤中，温度为900℃～1050℃，时间为1h～2h。
15、在其中一个实施例中，在高温退火步骤中，所述形成的氧化层的厚度为15nm～18nm。
16、在其中一个实施例中，所述第一次湿法刻蚀的时间为1min～5min，采用的刻蚀液中，hf的浓度为3％～5％。
17、在其中一个实施例中，在硼扩散步骤中，温度为800℃～960℃，时间为3h～4h。
18、在其中一个实施例中，所述正面隧穿氧化层的厚度为3nm～6nm；
19、及/或，所述硼掺多晶硅层的厚度为150nm～350nm；
20、及/或，所述硼掺多晶硅层的硼掺杂浓度为2.5e19cm-3～4.5e19cm-3。
21、在其中一个实施例中，在第二次湿法刻蚀步骤中，去除所述硅片背面上的所有层，并腐蚀2μm～4μm厚度的硅片。
22、在其中一个实施例中，完成所述第二次湿法刻蚀后，在所述硅片的背面依次生长背面隧穿氧化层和磷掺多晶硅层。
23、本专利技术还提供一种如上所述的太阳能电池的制备方法制得的太阳能电池。
24、上述太阳能电池的制备方法，一方面，通过在lpcvd沉积与硼扩散工艺中进行高温退火，有效促进多晶硅层的进一步晶化，并提高多晶硅层的晶粒尺寸，从而提高多晶硅层的晶体质量，进而有效提高接触性能，提高太阳能电池的开路电压和填充因子，同时，有利于提高正面隧穿氧化层的隧穿孔洞直径，有效提高载流子隧穿效果，进而提高钝化效果；另一方面，通过正面制绒使硼掺多晶硅层中靠近钝化层的表面形成绒面，避免正面隧穿氧化层沉积在硅片的绒面上，从而提高膜层的钝化性能，并且保障正面的光吸收效率，提高太阳能电池的转化效率。
25、因此，本专利技术提供的太阳能电池制备方法能够有效优化太阳能电池正面的膜层结构，同时提高钝化性能和接触性能，制得的太阳能电池具有优异的电池转化效率。
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1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沉积所述正面隧穿氧化层时，温度为580℃～680℃，时间为0.2h～1h，压强为500Torr～800Torr；
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在高温退火步骤中，温度为900℃～1050℃，时间为1h～2h。
4.根据权利要求1或3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在高温退火步骤中，所述形成的氧化层的厚度为15nm～18nm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一次湿法刻蚀的时间为1min～5min，采用的刻蚀液中，HF的浓度为3％～5％。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在硼扩散步骤中，温度为800℃～960℃，时间为3h～4h。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述正面隧穿氧化层的厚度为3nm～6nm；
8.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其
9.根据权利要求1或8所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，完成所述第二次湿法刻蚀后，在所述硅片的背面依次生长背面隧穿氧化层和磷掺多晶硅层。
10.一种如权利要求1～9任一项所述的太阳能电池的制备方法制得的太阳能电池。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沉积所述正面隧穿氧化层时，温度为580℃～680℃，时间为0.2h～1h，压强为500torr～800torr；
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在高温退火步骤中，温度为900℃～1050℃，时间为1h～2h。
4.根据权利要求1或3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在高温退火步骤中，所述形成的氧化层的厚度为15nm～18nm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一次湿法刻蚀的时间为1min～5min，采用的刻蚀液中，hf的...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏磊，任勇，陈德爽，吴成坤，朱响彬，锁英容，钱程，张婷，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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