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太阳能电池及其制备方法技术
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文档序号:44911364
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本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法。所述制备方法包括:硅片进行双面抛光;通过低压化学气相沉积在硅片的正面依次沉积正面隧穿氧化层和多晶硅层;硅片正面进行高温退火;硅片正面进行第一次湿法刻蚀,去除多晶硅层表面形成的氧化层;硅片正面进行硼扩散,...
该专利属于横店集团东磁股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过横店集团东磁股份有限公司授权不得商用。
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