一种单晶炉装置制造方法及图纸

技术编号:44911191 阅读:19 留言:0更新日期:2025-04-08 18:55
本申请涉及单晶炉技术领域,提供一种单晶炉装置,包括加热炉、保温层环和保护支架,加热炉包括炉底板和围设在炉底板上的侧壁,炉底板和侧壁围设形成炉腔。保温层环位于炉底板上,保护支架包括顶板和围设在顶板一侧的支撑臂,顶板和支撑臂共同围设形成保护腔,保护支架盖设在保温层上,保温层位于保护腔内。保护支架的顶板和支撑臂可以将保温层包裹住,以将保温层与保护支架上方的热源隔开,可以有效减少避免炉腔内的热量直接冲击到保温层上。能够防止热量冲击到保温层上而使保温层发生粉化,进而造成保温层的损坏。这样可以有效提高对保温层的保护,可以有效提升保温层的使用寿命,降低单晶硅制备的成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及单晶炉,尤其涉及一种单晶炉装置


技术介绍

1、硅是最常见应用最广的半导体材料,一种活泼的非金属元素晶体,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。随着光伏行业的不断发展壮大,生产单晶硅过程中的功耗也不断增加,如何有效的减少热能散失以及提高热能利用率成为单晶硅生产工序的重中之重。

2、单晶硅制造过程中,需要在单晶炉,单晶炉包括加热炉和位于加热炉中的坩埚,多晶硅材料设于坩埚中,加热炉中增设热场以溶化多晶硅材料,进而实现拉晶过程,最终得到单晶硅棒。其中,为了减少热量的流失,在加热炉的底部铺设有保温层,坩埚放置在保温层上,以对炉内的温度进行保温。

3、然而,保温层在高温下粉化严重,使得单晶的制备成本极具增加。


技术实现思路

1、本申请提供一种单晶炉装置,可以有效提高对保温层的保护,可以有效提升保温层的使用寿命,降低单晶硅制备的成本。

2、本申请提供一种单晶炉装置,包括:

3、加热炉,包括炉底板和围设在所述炉底板上的侧壁,所述炉底板和所述侧壁围设形成炉腔;

4、保温层,位于所述炉底板上;

5、保护支架,位于所述炉腔内,所述保护支架包括顶板和围设在所述顶板一侧的支撑臂,所述顶板和所述支撑臂共同围设形成保护腔,所述保护支架盖设在所述保温层上,所述保温层位于所述保护腔内。

6、本申请实施例通过在加热炉中设置保护支架并将保温层设置在保护支架中的保护腔内,保护支架的顶板和支撑臂可以将保温层包裹住,以将保温层与保护支架上方的热源隔开,可以有效减少避免炉腔内的热量直接冲击到保温层上。能够防止热量冲击到保温层上而使保温层发生粉化,进而造成保温层的损坏。这样可以有效提高对保温层的保护,可以有效提升保温层的使用寿命,降低单晶硅制备的成本。

7、在一种可能实现的方式中,还包括支撑台,所述支撑台围设在所述支撑臂外,所述支撑臂将所述保温层与所述支撑台相隔开;

8、所述顶板的直径大于所述支撑臂的直径,沿所述顶板的径向方向,所述顶板超出所述支撑臂部分搭设在所述支撑台上。

9、在一种可能实现的方式中,所述保护支架还包括:

10、散热筒,位于所述顶板朝向所述保温层的一侧,所述散热筒具有散热孔,所述散热孔贯穿所述顶板和所述散热筒;

11、所述保温层上开设有第一避让孔,所述散热筒穿设在所述第一避让孔内。

12、在一种可能实现的方式中,所述保护支架还包括:

13、电极筒,位于所述顶板朝向所述保温层的一侧,所述电极筒具有电极孔,所述电极孔贯穿所述顶板和所述电极筒,所述电极孔内设置有电极;

14、所述保温层上开设有第二避让孔,所述电极筒穿设在所述第二避让孔内。

15、在一种可能实现的方式中,还包括:

16、盛装炉,位于所述炉腔内,所述盛装炉用于盛装多晶硅;

17、所述保护支架还包括:

18、安装筒,位于所述顶板朝向所述保温层的一侧,所述安装筒具有安装孔,所述安装孔贯穿所述顶板和所述安装筒;

19、所述保温层上开设有第三避让孔,所述安装筒穿设在所述第三避让孔内;

20、还包括托架,所述托架的部分安装于所述安装孔内,所述盛装炉位于所述托架上。

21、在一种可能实现的方式中,所述顶板的厚度为50mm~70mm;

22、所述顶板的直径为1500mm~1550mm。

23、在一种可能实现的方式中,所述支撑臂的外径为1050mm~1100mm;

24、所述支撑臂的内径为950mm~1000mm。

25、在一种可能实现的方式中,所述支撑臂的高度为200mm~220mm。

26、在一种可能实现的方式中,所述散热筒、所述电极筒和所述安装筒的高度与所述支撑臂的高度相等;

27、所述散热孔、所述电极孔和所述安装孔的直径均为152mm~172mm;

28、所述散热筒、所述电极筒和所述安装筒的壁厚均为152mm~172mm。

29、在一种可能实现的方式中,所述炉底板上开设有通孔,所述通孔与所述散热孔连通,所述炉腔通过所述散热孔和所述通孔与外部相连通。

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【技术保护点】

1.一种单晶炉装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的单晶炉装置,其特征在于,还包括支撑台,所述支撑台围设在所述支撑臂外,所述支撑臂将所述保温层与所述支撑台相隔开;

3.根据权利要求1或2所述的单晶炉装置,其特征在于,所述保护支架还包括:

4.根据权利要求3所述的单晶炉装置,其特征在于,所述保护支架还包括:

5.根据权利要求4所述的单晶炉装置,其特征在于,还包括:

6.根据权利要求1或2所述的单晶炉装置,其特征在于,所述顶板的厚度为50mm~70mm;

7.根据权利要求1或2所述的单晶炉装置,其特征在于,所述支撑臂的外径为1050mm~1100mm;

8.根据权利要求1或2所述的单晶炉装置,其特征在于,所述支撑臂的高度为200mm~220mm。

9.根据权利要求5所述的单晶炉装置,其特征在于,所述散热筒、所述电极筒和所述安装筒的高度与所述支撑臂的高度相等;

10.根据权利要求3所述的单晶炉装置,其特征在于,所述炉底板上开设有通孔,所述通孔与所述散热孔连通,所述炉腔通过所述散热孔和所述通孔与外部相连通。

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【技术特征摘要】

1.一种单晶炉装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的单晶炉装置,其特征在于,还包括支撑台,所述支撑台围设在所述支撑臂外,所述支撑臂将所述保温层与所述支撑台相隔开;

3.根据权利要求1或2所述的单晶炉装置,其特征在于,所述保护支架还包括:

4.根据权利要求3所述的单晶炉装置,其特征在于,所述保护支架还包括:

5.根据权利要求4所述的单晶炉装置,其特征在于,还包括:

6.根据权利要求1或2所述的单晶炉装置,其特征在于,所述顶板的厚度为50mm~...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐凯旋徐志群金霞乔乐
申请(专利权)人:青海高景太阳能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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