一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档方法、装置及存储介质制造方法及图纸

技术编号:44344425 阅读:19 留言:0更新日期:2025-02-25 09:32
本发明专利技术涉及单晶硅生产技术领域,公开了一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档方法、装置及存储介质,其中方法包括如下步骤:测量单晶硅圆棒切下来的边皮的第二端面的两角处的电阻率;依据分凝原理,结合单晶硅圆棒的长度和边皮的第二端面的两角处的电阻率推算边皮的第一端面的两角处的电阻率;计算边皮的第一端面的两角处和第二端面的两角处的电阻率的均值,并以该均值作为该边皮的电阻率;根据计算获得的边皮的电阻率对边皮进行分档。该分档方法,避免了人工采用四探针法来测量边皮的电阻率,降低了边皮分档的人力消耗,提高了分档效率。同时避免人工测量出来的边皮的电阻率不准确导致分档不准确,从而避免边皮分档不准确影响产品的电阻率的控制精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶硅生产,具体涉及一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档方法、装置及存储介质


技术介绍

1、为了节约成本,单晶硅圆棒在切割成方形棒后,被切下的边皮料会作为循环料重新投炉生产。为了方便边皮料在循环使用时能精准控制掺杂量,避免循环料对新制造的单晶硅圆棒的电阻率的控制精度带来影响,需要对切割下来的边皮料的电阻率进行测量分档。目前的生产过程中,边皮料的电阻率的测量分档完全由人工完成,通过测量人员采用四探针法测量获得边皮料的电阻率,并根据测量获得的电阻值在边皮料上刻上其电阻率所属的档位。该分档方法需要耗费大量的人力资源,且通过四探针法测量获得的电阻率的准确度受测量人员的测量手法影响,测量的电阻率准确度受人为因素影响,从而影响投入了边皮料的单晶硅圆棒的生产质量。为此需要设计一种更高效且更准确的边皮料的电阻率测量及分档方法。


技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档方法、装置及存储介质,能够降低边皮料的电阻率的测量分档的人力消耗,提高分档效率并提高分档结果的准确本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法,其特征在于,所述测量单晶硅圆棒切下来的边皮的第二端面的两角处的电阻率步骤中,通过少子寿命测试仪测量单晶硅圆棒切下来的边皮的第二端面的两角处的电阻率,并将测得的电阻率上传至MES系统中。

3.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法,其特征在于,所述依据分凝原理,结合单晶硅圆棒的长度和边皮的第二端面的两角处的电阻率推算边皮的第一端面的两角处的电阻率的步骤中,通过下式计算边皮的第一端面的两角处的电阻率a1和a2:

4.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法...

【技术特征摘要】

1.一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法,其特征在于,所述测量单晶硅圆棒切下来的边皮的第二端面的两角处的电阻率步骤中,通过少子寿命测试仪测量单晶硅圆棒切下来的边皮的第二端面的两角处的电阻率,并将测得的电阻率上传至mes系统中。

3.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法,其特征在于,所述依据分凝原理,结合单晶硅圆棒的长度和边皮的第二端面的两角处的电阻率推算边皮的第一端面的两角处的电阻率的步骤中,通过下式计算边皮的第一端面的两角处的电阻率a1和a2:

4.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法,其特征在于,所述依据分凝原理,结合单晶硅圆棒的长度和边皮的第二端面的两角处的电阻值推算边皮的第一端面的两角处的电阻率的步骤前还包括:

5.根据权利要求1所述的边皮电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员:王洪杰金鑫高鹏
申请(专利权)人:青海高景太阳能科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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