【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅生产，具体涉及一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档方法、装置及存储介质。
技术介绍
1、为了节约成本，单晶硅圆棒在切割成方形棒后，被切下的边皮料会作为循环料重新投炉生产。为了方便边皮料在循环使用时能精准控制掺杂量，避免循环料对新制造的单晶硅圆棒的电阻率的控制精度带来影响，需要对切割下来的边皮料的电阻率进行测量分档。目前的生产过程中，边皮料的电阻率的测量分档完全由人工完成，通过测量人员采用四探针法测量获得边皮料的电阻率，并根据测量获得的电阻值在边皮料上刻上其电阻率所属的档位。该分档方法需要耗费大量的人力资源，且通过四探针法测量获得的电阻率的准确度受测量人员的测量手法影响，测量的电阻率准确度受人为因素影响，从而影响投入了边皮料的单晶硅圆棒的生产质量。为此需要设计一种更高效且更准确的边皮料的电阻率测量及分档方法。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档方法、装置及存储介质，能够降低边皮料的电阻率的测量分档的人力消耗，提高分档效率并提高分档结果的准确性，从而可以避免边皮料的循环使用。
2、为解决上述问题，本专利技术所采用的技术方案如下：一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档方法，包括如下步骤：
3、测量单晶硅圆棒切下来的边皮的第二端面的两角处的电阻率；
4、依据分凝原理，结合单晶硅圆棒的长度和边皮的第二端面的两角处的电阻率推算边皮的第一端面的两角处的电阻率；
5、计算边皮的第一端面的两
6、根据计算获得的边皮的电阻率对边皮进行分档。
7、相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：该方法依据分凝原理，通过边皮首端或尾端的两角处的电阻率推算另外一端的两角处的电阻率，并以四角处的电阻率的均值作为该边皮的电阻率来对该边皮进行分档，从而避免了人为通过四探针法测量边皮的电阻率，降低了边皮分档的人力资源消耗，提高了边皮分档的效率。且由于避免了四探针法的使用，也避免了测试手法对电阻率测量准确性的影像，分档结果更加准确，避免边皮料循环使用影像单晶硅圆棒的电阻率控制精度。
8、上述的边皮电阻分档方法，所述测量单晶硅圆棒切下来的边皮的第二端面的两角处的电阻率步骤中，通过少子寿命测试仪测量单晶硅圆棒切下来的边皮的第二端面的两角处的电阻率，并将测得的电阻率上传至mes系统中。
9、上述的边皮电阻分档方法，所述依据分凝原理，结合单晶硅圆棒的长度和边皮的第二端面的两角处的电阻率推算边皮的第一端面的两角处的电阻率的步骤中，通过下式计算边皮的第一端面的两角处的电阻率a1和a2：
10、
11、式中，m和n为维护参数，c1＝-m*b12-n*b1+h，c2＝-m*b22-n*b2+h，h为边皮所属的单晶硅圆棒的长度，b1和b2为通过测量获得的边皮的第一端面的两角处的电阻率。
12、上述的边皮电阻分档方法，所述依据分凝原理，结合单晶硅圆棒的长度和边皮的第二端面的两角处的电阻值推算边皮的第一端面的两角处的电阻率的步骤前还包括：
13、获取边皮的编码信息，并根据边皮的编码信息查询边皮的第二端面的两角处的电阻率、边皮所属的单晶硅圆棒的类型及长度。
14、上述的边皮电阻分档方法，还包括：
15、根据分档结果生成刻码，并将刻码通过激光镭射到边皮上。
16、一种计算机可读的存储介质，存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器调用执行时实现上述的边皮电阻分档方法。
17、一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档装置，包括：获取模块，用于获取边皮的编码信息，并根据编码信息查询边皮的第二端面的两角处的电阻率、边皮所属的单晶硅圆棒的类型及长度；电阻率推算模块，用于依据分凝原理模型，结合所述获取模块获取的边皮的第二端面的两角处的电阻率和所述的单晶硅圆棒的长度，计算边皮的第一端面的两角处的电阻率；边皮电阻计算模块，用于计算边皮的第一端面的两角处和第二端面的两角处的电阻率的均值，并以该均值作为该边皮的电阻率；分档模块，用于根据所述边皮计算模块计算的边皮的电阻率对该边皮进行分档。
18、上述的边皮电阻分档装置，还包括：刻码生成模块，用于根据所述分档模块的分档结果生成刻码。
19、上述的边皮电阻分档装置，所述电阻率推算模块还用于通过下式计算边皮的第一端面的两角处的电阻率a1和a2：
20、
21、式中，m和n为维护参数，c1＝-m*b12-n*b1+h，c2＝-m*b22-n*b2+h，h为边皮所属的单晶硅圆棒的长度，b1和b2为所述获取模块查询获得的边皮的第一端面的两角处的电阻率。
22、一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档设备包括上述的边皮电阻分档装置、扫码枪和激光刻码装置，所述扫码枪和所述激光刻码装置均与所述边皮分档装置电性连接，所述扫码枪用于扫描边皮上的二维码，所述激光刻码装置用于将边皮电阻分档装置生成的刻码雕刻到边皮上。
23、下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法，其特征在于，所述测量单晶硅圆棒切下来的边皮的第二端面的两角处的电阻率步骤中，通过少子寿命测试仪测量单晶硅圆棒切下来的边皮的第二端面的两角处的电阻率，并将测得的电阻率上传至MES系统中。
3.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法，其特征在于，所述依据分凝原理，结合单晶硅圆棒的长度和边皮的第二端面的两角处的电阻率推算边皮的第一端面的两角处的电阻率的步骤中，通过下式计算边皮的第一端面的两角处的电阻率a1和a2：
4.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法，其特征在于，所述依据分凝原理，结合单晶硅圆棒的长度和边皮的第二端面的两角处的电阻值推算边皮的第一端面的两角处的电阻率的步骤前还包括：
5.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法，其特征在于，还包括：
6.一种计算机可读的存储介质，存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器调用执行时实现根据权利要求1至5任一项所述的边皮电阻分档方法。
7.一种单晶硅圆棒
8.根据权利要求7所述的边皮电阻分档装置，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求7所述的边皮电阻分档装置，其特征在于，所述电阻率推算模块还用于通过下式计算边皮的第一端面的两角处的电阻率a1和a2：
10.一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档设备，其特征在于，包括根据权利要求7至9任一项所述的边皮电阻分档装置、扫码枪和激光刻码装置，所述扫码枪和所述激光刻码装置均与所述边皮分档装置电性连接，所述扫码枪用于扫描边皮上的二维码，所述激光刻码装置用于将边皮电阻分档装置生成的刻码雕刻到边皮上。
...【技术特征摘要】
1.一种单晶硅圆棒的边皮电阻分档方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法，其特征在于，所述测量单晶硅圆棒切下来的边皮的第二端面的两角处的电阻率步骤中，通过少子寿命测试仪测量单晶硅圆棒切下来的边皮的第二端面的两角处的电阻率，并将测得的电阻率上传至mes系统中。
3.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法，其特征在于，所述依据分凝原理，结合单晶硅圆棒的长度和边皮的第二端面的两角处的电阻率推算边皮的第一端面的两角处的电阻率的步骤中，通过下式计算边皮的第一端面的两角处的电阻率a1和a2：
4.根据权利要求1所述的边皮电阻分档方法，其特征在于，所述依据分凝原理，结合单晶硅圆棒的长度和边皮的第二端面的两角处的电阻值推算边皮的第一端面的两角处的电阻率的步骤前还包括：
5.根据权利要求1所述的边皮电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：王洪杰，金鑫，高鹏，
申请(专利权)人：青海高景太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。