光刻机及光刻机污染控制方法技术

本发明专利技术属于光刻机技术领域，具体涉及一种光刻机及光刻机污染控制方法。本发明专利技术中的光刻机包括光源腔室、连接腔室、主腔室、硅片台腔室、掩模传输腔室、硅片传输腔室和真空获得系统，真空获得系统包括前级泵组、主抽泵组、主腔室低温泵和硅片台腔室低温泵，主抽泵组包括分别和前级泵组连通的光源腔室真空泵、连接腔室真空泵、主腔室真空泵、硅片台腔室真空泵、掩模传输腔室真空泵以及硅片传输腔室真空泵，主腔室低温泵和主腔室连通，硅片台腔室低温泵和硅片台腔室连通。通过使用本技术方案中的光刻机，既能保证良好的真空环境，又能实现对气体污染物的控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光刻机，具体涉及一种光刻机及光刻机污染控制方法。

技术介绍

1、光刻机是芯片制造过程中不可或缺的设备，主要用于在芯片表面进行微影刻蚀，将电路图案逐层刻写出来。光刻机通常需要在真空环境下工作，主要原因是为了避免氧气或其他气体存在导致的干扰，减少气体扰动对光路的影响，确保精密的电路图案能够准确地投影到芯片表面上，保证芯片制造的精确度。对于极紫线外光刻机而言，固体材料在大气环境下能溶解、吸附一些气体，放置于真空环境中就会因解吸等过程而放气。材料放出的碳氢化合物和水蒸气会在极紫外反射镜表面形成碳沉积或产生氧化作用，从而降低反射镜的反射率和使用寿命。因此要对极紫外光刻机内部的碳氢化合物和水蒸气等污染性气体进行严格的控制。

2、因此，亟需提出一种光刻机及光刻机污染控制方法来解决上述问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提出一种内部真空并且能够控制气体污染物的光刻机。该目的是通过以下技术方案实现的：

2、本专利技术的第一方面提出了一种光刻机，包括光源腔室、连接腔室、主腔室、硅片台本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻机，其特征在于，包括光源腔室(100)、连接腔室(200)、主腔室(300)、硅片台腔室(400)、掩模传输腔室(500)、硅片传输腔室(600)和真空获得系统，所述光源腔室(100)通过所述连接腔室(200)和所述主腔室(300)连通，所述主腔室(300)和所述硅片台腔室(400)连通，所述掩模传输腔室(500)和所述主腔室(300)连通，所述硅片传输腔室(600)和所述硅片台腔室(400)连通；

2.根据权利要求1所述的光刻机，其特征在于，所述前级泵组包括第一前级泵(710)，所述前级真空管路包括光源腔室真空管路(711)和连接腔室真空管路(712)，所述光源...

【技术特征摘要】

1.一种光刻机，其特征在于，包括光源腔室(100)、连接腔室(200)、主腔室(300)、硅片台腔室(400)、掩模传输腔室(500)、硅片传输腔室(600)和真空获得系统，所述光源腔室(100)通过所述连接腔室(200)和所述主腔室(300)连通，所述主腔室(300)和所述硅片台腔室(400)连通，所述掩模传输腔室(500)和所述主腔室(300)连通，所述硅片传输腔室(600)和所述硅片台腔室(400)连通；

2.根据权利要求1所述的光刻机，其特征在于，所述前级泵组包括第一前级泵(710)，所述前级真空管路包括光源腔室真空管路(711)和连接腔室真空管路(712)，所述光源腔室真空泵(810)通过所述光源腔室真空管路(711)和所述第一前级泵(710)连通，所述连接腔室真空泵(820)通过所述连接腔室真空管路(712)和所述第一前级泵(710)连通。

3.根据权利要求2所述的光刻机，其特征在于，所述光源腔室真空管路(711)和所述连接腔室真空管路(712)分别连通有第一混气管路(713)，所述第一混气管路(713)上设置有第一调节阀(714)，所述第一混气管路(713)用于输送保护性气体，所述第一调节阀(714)用于调节所述保护性气体的流量，所述保护性气体用于调整排出的工艺气体中氢气的体积分数。

4.根据权利要求1-3任一项所述的光刻机，其特征在于，所述前级泵组包括第二前级泵(720)，所述前级真空管路包括主腔室真空管路(721)、硅片台腔室真空管路(722)、掩模传输腔室真空管路(723)和硅片传输腔室真空管路(724)，所述主腔室真空泵(830)通过所述主腔室真空管路(721)和所述第二前级泵(720)连通、所述硅片台腔室真空泵(840)通过所述硅片台腔室真空管路(722)和所述第二前级泵(720)连通、所述掩模传输...

【专利技术属性】
技术研发人员：王魁波，吴晓斌，罗艳，谢婉露，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：