一种应用于Nand Flash控制器缓存读取的测试方法、装置及介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储领域，具体是一种应用于Nand Flash控制器缓存读取的测试方法、装置及介质。本发明专利技术设置cache读取时间标准、构造测试场景、结果返回、结果校验几个阶段。在设置cache读取时间标准阶段，相同lun多次读取获得从cache中读取数据的时间基准。在构造测试场景阶段，根据实际应用场景发送不同的读写操作。在结果返回阶段，对NFC返回的数据进行处理，以便进行下一步分析。在结果校验阶段对返回数据是否从cache中读取进行判断，生成可视化报告。本发明专利技术可验证闪存控制器能否有效从cache中读取数据，提高NAND Flash存储系统的读取性能和数据访问速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储领域，具体是一种应用于nand flash控制器缓存读取的测试方法、装置及介质。

技术介绍

1、nand flash是一种基于nand技术的非易失性存储器，具有高存储密度，改写速度快等优势，被广泛应用于各类固态硬盘中，为提高nand flash存储器的数据访问速度，引入cache read技术，当控制器接收到读请求时，它会首先检查缓存中是否已存储了所需的数据。如果数据已经存在于缓存中（即缓存命中），那么控制器将直接从缓存中读取数据并返回给请求者，这有效地减少从nand flash芯片中读取数据的次数，从而提高系统性能和响应速度。

2、现有的cache read测试方法直接从nand flash读取数据如从一个指定地址读取数据来测试cache read，难以覆盖复杂的实际应用场景，例如multi-plan的随机读写并发，跨越不同lun、page的测试，灵活性不足。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种应用于nand flash控制器缓存读取的测试方法、装置及介质，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于Nand Flash控制器缓存读取的测试方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的应用于Nand Flash控制器缓存读取的测试方法，其特征在于：步骤S04具体为：首先判断状态位是否为9c，不是则测试失败，是则继续判断读取的数据是否正确，不正确则测试失败，是则继续判断读取性能是否提升，性能数据与步骤S02设置的sp_cache_level、mp_cache_level对比，对于single plane读操作，其读时间小于sp_cache_level，则认为性能提升，测试通过，否则测试失败，对于multi-plane，其读时间小于mp_cache_...

【技术特征摘要】

1.一种应用于nand flash控制器缓存读取的测试方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的应用于nand flash控制器缓存读取的测试方法，其特征在于：步骤s04具体为：首先判断状态位是否为9c，不是则测试失败，是则继续判断读取的数据是否正确，不正确则测试失败，是则继续判断读取性能是否提升，性能数据与步骤s02设置的sp_cache_level、mp_cache_level对比，对于single plane读操作，其读时间小于sp_cache_level，则认为性能提升，测试通过，否则测试失败，对于multi-plane，其读时间小于mp_cache_level，则认为性能提升，测试通过，否则测试失败。

3.根据权利要求1所述的应用于nand flash控制器缓存读取的测试方法，其特征在于：相同lun不同闪存类型混合读写的测试过程为：在相同lun下，通过single plane和multi-plane进行读写操作，包括先写后读、先读后写、读写并发场景，对于已缓存数据读取，首先判断状态位是否为9c，不是则测试失败，是则继续判断读取的数据是否正确，不正确则测试失败，是则继续判断读取性能是否提升，性能数据与步骤s02设置的sp_cache_level、mp_cache_level对比，对于single plane读操作，其读时间小于sp_cache_level，则认为性能提升，测试通过，否则测试失败，对于multi-plane，其读时间小于mp_cache_level，则认为性能提升，测试通过，否则测试失败。

4.根据权利要求1所述的应用于nand flash控制器缓存读取的测试方法，其特征在于：不同lun读取的测试过程为：...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵莎莎，姚光乐，王璞，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：