一种功率半导体器件制造技术

技术编号：44873241 阅读：22 留言：0更新日期：2025-04-08 00:13

本发明专利技术提供一种功率半导体器件，包括元胞区、过渡区和终端区，所述过渡区处于器件元胞区和终端区之间，所述器件元胞区、过渡区和终端区底部共同设有第一导电类型衬底、位于第一导电类型衬底上方的第一导电类型外延层及位于第一导电类型外延层内的第一导电类型缓冲层；在大电流应用下，由于元胞区为芯片中面积占比最大的区域，若能让击穿发生在元胞区，让电流经由元胞区泄放，将大大提高器件的鲁棒性；本发明专利技术在保证终端区耐压基础上，通过调整过渡区以及终端区N/P柱宽度，优化终端区电场分布使击穿点向大面积的元胞区转移，提高了器件的E<subgt;AS</subgt;性能，优化了器件反向耐压特性，降低了器件终端区的电荷平衡敏感度，提高器件鲁棒性。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，涉及一种超级结功率半导体器件。

技术介绍

1、功率mos器件是功率处理与转换的主要器件之一，具有高的输入阻抗、易驱动等优点，因此广泛应用于汽车电子、工业电子、消费电子等领域。理想功率mos器件往往要求高的击穿电压(breakdown voltage，bv)和低的比导通电阻(specific on resistance，ron,sp)，从而尽可能的降低导通损耗。但受限于“硅极限”关系，传统mos器件的ron,sp和bv存在制约关系。因此超级结器件于19世纪80年代被专利技术出来，超级结结构的引入极大的缓解了ron,sp-bv两者之间的矛盾关系。超级结器件通过采用交替的p型和n型区域实现电荷补偿，进而得到较低的比导通电阻ron,sp和较高的击穿电压bv，超级结器件具有良好的性能，但超级结器件的终端结构耐压对电荷平衡很敏感，优化窗口很小，因此针对终端结构进行设计，提高终端结构的耐压能力、降低终端耐压敏感度对于超级结的应用十分重要。在高压大电流应用下，击穿发生在大面积的有源区对器件的应用更有利，而小电流器件则更偏向击穿发生...

【技术保护点】

1.一种功率半导体器件，包括元胞区(100)、过渡区(101)和终端区(102)，其特征在于：

2.一种功率半导体器件，其特征在于：包括元胞区(100)、过渡区(101)和终端区(102)，

3.一种功率半导体器件，其特征在于：包括元胞区(100)、过渡区(101)和终端区(102)，

4.一种功率半导体器件，其特征在于：

5.根据权利要求1或2或3或4所述的功率半导体器件，其特征在于：所述过渡区以及终端区内第一导电类型纵向条形区域(4)和第二导电类型纵向条形区域(5)宽度由元胞区向终端区方向依次递进式递减。