一种太阳能电池及其组件制造技术

本技术公开一种太阳能电池及其组件，太阳能电池包括：基底，其第一面上具有第一掺杂区、第二掺杂区和隔离区；第一钝化层，设置于第一面；第一掺杂非晶硅层，设置于第一钝化层对应第一掺杂区；第二掺杂非晶硅层，设置于第一钝化层对应第二掺杂区，第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层的掺杂类型不同；隧穿层，至少覆盖于第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层上；第一电极层，设置于隧穿层对应第一掺杂区，第一电极层在基底上的投影面积占第一掺杂区的投影面积90％～100％；第二电极层，设置于隧穿层对应第二掺杂区，第二电极层在基底上的投影面积占第二掺杂区的投影面积的90％～100％。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏，尤其涉及一种太阳能电池及其组件。

技术介绍

1、背接触(back contact，bc)太阳能电池指发射极和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的电池。与正面有遮挡的电池相比，背接触电池具有更高的短路电流和光电转换效率。异质结背接触(heterojunction-bc，hbc)太阳能电池兼具异质结(heterojunction technology)和背接触(back contact，bc)两种电池的优点，可获得高的开路电压和大的短路电流，其发展潜力已得到证明，是未来高效太阳能电池的发展方向之一。hbc电池的背面通常包括设置在晶硅基体上层叠的钝化层、掺杂非晶硅层、透明导电薄膜层(transparent conductive oxide,tco层)以及金属电极层。

2、虽然tco层具有极低的电阻率且技术相当成熟，但tco层的功函数较低(功函数为4.5～4.8ev)，tco层与掺杂非晶硅层的功函数(功函数>5ev)相差较大，tco层直接与掺杂非晶硅层接触，则会产生界面势垒，不利于电子、空穴的传输和提取，影响电池转换效本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极层和/或第二电极层任意位置的厚度为0.5μm-31μm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层覆盖于所述第一掺杂非晶硅层、所述第二掺杂非晶硅层和所述第一钝化层的对应所述隔离区的区域上。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第一导电层和第二导电层；所述第一导电层设置于所述隧穿层的对应所述第一掺杂区的区域，所述第一电极层设置于所述第一导电层；所述第二导电层设置于所述隧穿层的对应所述第二掺杂区的区域，所述第二电极层设置于...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极层和/或第二电极层任意位置的厚度为0.5μm-31μm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层覆盖于所述第一掺杂非晶硅层、所述第二掺杂非晶硅层和所述第一钝化层的对应所述隔离区的区域上。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第一导电层和第二导电层；所述第一导电层设置于所述隧穿层的对应所述第一掺杂区的区域，所述第一电极层设置于所述第一导电层；所述第二导电层设置于所述隧穿层的对应所述第二掺杂区的区域，所述第二电极层设置于所述第二导电层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层为透明导电氧化物层或金属导电层；

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电氧化物层为ito层、fto层、azo层、ico层、iwo层、tio2层中的一种或多种叠层；

7.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层的厚度为5nm～200nm；

8.根据权利要求1-7任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡永安，王志强，程臻君，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：