包括利用多反对称最优控制装置的流量比率控制器的气体输送方法和系统制造方法及图纸

披露了一种用于气体供应系统的多反对称最优（ＭＡＯ）控制算法，该气体供应系统包括用于将单个质量流量分到多个流动管线中的流量比率控制器。在ＭＡＯ控制算法中，为每个流动管线装备流量传感器和阀，由ＳＩＳＯ反馈控制器结合线性饱和器主动控制阀，以实现目标流量比率设置点。为了实现最优控制性能，这些ＳＩＳＯ控制器和线性饱和器是基本相同的。据证实，每个阀控制命令都与所有其他阀控制命令成多反对称。因此，ＭＡＯ控制算法确保在任何时刻都至少有一个阀处于可容许最大开放位置，在针对流量比率设置点的给定集的最大总阀流导方面实现最优解。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体上涉及半导体处理设备，更具体而言，涉及用于向处理工具的至少两 个位置输送无污染的、精确计量的量的工艺气体的流量比率控制器。更具体而言，本公开 涉及将来自单个气柜的流量分送到处理工具的至少两个，优选三个或更多位置的系统和方 法。
技术介绍
制造半导体器件常常需要对多达十数种气体进行认真地同步并将其以精确计量的方式输送到处理工具，例如真空室。在制造过程中使用多种组方，并且可能需要很多不连续的处理步骤，其中，例如对半导体器件进行清洗、抛光、氧化、掩蔽、蚀刻、掺杂或金属化。所用的步骤、它们具体的次序以及所涉及的材料全都对制造特定器件有贡献。 因此，通常组织晶片制造设施以包括在其中执行化学气相淀积、等离子体淀积、等离子体蚀刻、溅射和其他类似气体制造过程的区域。必须为处理工具供应各种工艺气体，无论它们是化学气相淀积反应室、真空溅射机、等离子体蚀刻机或等离子体增强化学气相淀积室或任何其他装置、设备或系统。必须以无污染的、精确计量的量向工具供应纯净气体。 在典型的晶片制造设施中，气体储存于气罐中，气罐通过管路或导管连接到气体输送系统。气体输送系统包括气柜，用于向处理工具和/或反应室输送来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多通道气体输送系统，包括：主要通道；至少两个辅助通道；以及流量比率控制器，其耦合到所述主要通道和所述多个辅助通道，以便通过所述主要通道接收气体并控制通过每个所述辅助通道的气体流量相对于整个流量的比率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁军华，KH扎尔卡，
申请(专利权)人：MKS仪器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]