钕铁硼磁体及其制备方法技术

技术编号:44868712 阅读:21 留言:0更新日期:2025-04-08 00:11
本申请提供一种钕铁硼磁体及其制备方法,包括如下步骤:将钕铁硼磁体的粉料进行压制处理,制备方形压坯;方形压坯的S磁极对应的表面和N磁极对应的表面为取向面M、其余表面中任意两个面对面的表面为H面;采用第一扩散源在取向面M上形成第一扩散层、采用第二扩散源在H面上形成第二扩散层,制备预制坯;将预制坯依次进行固化扩散处理、排气处理、烧结处理和回火处理,制备钕铁硼磁体;其中,第一扩散源和所述第二扩散源分别独立地选自:X<subgt;a</subgt;Y<subgt;b</subgt;和R<subgt;c</subgt;Z<subgt;d</subgt;中的至少一种。该制备方法能有效控提高晶界扩散效率和稳定性,进而提高钕铁硼磁体的磁体矫顽力,且能提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及合金,特别是涉及一种钕铁硼磁体及其制备方法


技术介绍

1、钕铁硼也称为钕铁硼磁铁,是由钕、铁、硼(nd2fe14b)形成的四方晶系晶体,其磁能积(bhmax)大于钐钴磁铁,是目前世界磁能积最大的材料之一,是现今磁性仅次于绝对零度钬磁铁的永久磁铁,也是最常使用的稀土磁铁。钕铁硼磁铁被广泛地应用于电子产品,例如硬盘、手机、耳机以及用电池供电的工具。

2、目前随着新能源汽车、节能变频空调、工业机器人及伺服电机等领域的快速发展,对烧结钕铁硼的需求逐渐增加;并且随着市场竞争加剧以及客户对成本等的控制,烧结钕铁硼的晶界扩散技术凭借着其高的性价比逐渐成为该相关领域的主流。传统制备方法中的晶界扩散技术往往是毛坯制备完成经加工及表面清洁后进行扩散镀膜+扩散热处理,以便提升基材的矫顽力;但此类技术设备投入成本高、工艺流程长、生产产品规格受限(一般为2~10mm厚的磁片)、复合镀膜工艺流程复杂等。

3、由此,如何提供短程高效的可覆盖高厚度磁体的扩散技术,以填补短程高效扩散技术的空白是本领域仍待解决的技术难题。

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【技术保护点】

1.一种钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述Y选自H、O、F、N、Al、Cu、Co、Ga、Sn、Zr、Ti、Si、Fe中的至少一种;和/或

3.如权利要求2所述的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述R和所述Z分别独立地选自Pr、Nd、Al、Cu、Co、Ga、Sn、Zr、Ti、Si、Fe中的至少一种,且所述R和所述Z不同;和/或

4.如权利要求1~3任一项所述的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,以所述第一扩散层和所述第二扩散层的总质量为基准,所述第一扩散层的质量占比为0.1%~1...

【技术特征摘要】

1.一种钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述y选自h、o、f、n、al、cu、co、ga、sn、zr、ti、si、fe中的至少一种;和/或

3.如权利要求2所述的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述r和所述z分别独立地选自pr、nd、al、cu、co、ga、sn、zr、ti、si、fe中的至少一种,且所述r和所述z不同;和/或

4.如权利要求1~3任一项所述的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,以所述第一扩散层和所述第二扩散层的总质量为基准,所述第一扩散层的质量占比为0.1%~1.5%。

5.如权利要求1~3任一项所述的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述第一扩散源和所述第二扩散源的组分均包括:xayb和rczd;或...

【专利技术属性】
技术研发人员:樊金奎邓晓飞金亮谢腾璋徐明华
申请(专利权)人:杭州永磁集团振泽磁业有限公司
类型:发明
国别省市:

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