系统级封装结构及其制作方法和电子设备技术方案

本申请提供了一种系统级封装结构及其制作方法和电子设备，该系统级封装结构包括基板；电子元件，电子元件设置于基板的表面，电子元件的顶面和至少部分侧面形成散热面；散热层，散热层贴合于散热面；封装体，封装体设置于基板的表面并用于封装电子元件；散热层贴合于电子元件的散热面，能够有效地将电子元件产生的热量传导至散热层，提高了电子元件的散热效果，保证了电子元件的性能发挥的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体封装，具体地，本申请涉及一种系统级封装结构及其制作方法和电子设备。

技术介绍

1、系统级封装(system in a package，sip)已成为实现高性能、高集成度电子产品的关键组件。

2、然而，sip中的芯片在塑封后，由于其结构紧凑且内部元件密集，导致芯片依靠传统散热方式的散热效果较差，限制了芯片的性能发挥。

技术实现思路

1、本申请实施例的一个目的是提供一种系统级封装结构及其制作方法和电子设备的新技术方案。

2、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种系统级封装结构，包括：

3、基板；

4、电子元件，所述电子元件设置于所述基板的表面，所述电子元件的顶面和至少部分侧面形成散热面；

5、散热层，所述散热层贴合于所述散热面；

6、封装体，所述封装体设置于所述基板的表面并用于封装所述电子元件。

7、可选地，所述散热层为溅镀的金属层。

8、可选地，所述散热层的厚度为3-20μm。p>

9、可选地本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种系统级封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，所述散热层(3)为溅镀的金属层。

3.根据权利要求1或2所述的系统级封装结构，其特征在于，所述散热层(3)的厚度为3-20μm。

4.根据权利要求1或2所述的系统级封装结构，其特征在于，所述封装体(4)的高度低于所述电子元件(2)的高度，所述散热层(3)覆盖所述散热面和所述封装体(4)。

5.根据权利要求1或2所述的系统级封装结构，其特征在于，所述封装体(4)的高度高于所述电子元件(2)的高度，所述散热层(3)覆盖所述散热面和所述封装体(4)。<...

【技术特征摘要】

1.一种系统级封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，所述散热层(3)为溅镀的金属层。

3.根据权利要求1或2所述的系统级封装结构，其特征在于，所述散热层(3)的厚度为3-20μm。

4.根据权利要求1或2所述的系统级封装结构，其特征在于，所述封装体(4)的高度低于所述电子元件(2)的高度，所述散热层(3)覆盖所述散热面和所述封装体(4)。

5.根据权利要求1或2所述的系统级封装结构，其特征在于，所述封装体(4)的高度高于所述电子元件(2)的高度，所述散热层(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锡光，
申请(专利权)人：歌尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：