纳米颗粒磁性膜及电子部件制造技术

本发明专利技术涉及一种纳米颗粒磁性膜及电子部件。纳米颗粒磁性膜具有第一相的微小区域分散于第二相中的结构。第一相含有Fe及Co，第二相含有包含选自O、N及F中的一种以上的第二相化合物。对纳米颗粒磁性膜设定测定范围，以80000个以上的1nm×1nm×1nm的网格分割测定范围，并以原子数比测定各网格的Fe/(Fe+Co)及第二相化合物。在将各网格分类成MX‑rich网格和MX‑poor网格的情况下，对各MX‑rich网格算出的Fe/(Fe+Co)的CV值比对各MX‑poor网格算出的Fe/(Fe+Co)的CV值大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米颗粒磁性膜及电子部件。

技术介绍

1、近年来，在智能手机或智能手表等移动设备中，同时要求显示屏幕的大型化、电池容量的增加、小型化以及轻量化。显示屏幕的大型化及电池容量的增加的要求是与小型化及轻量化的要求相反的要求。为了实现这些相反的要求，要求电路基板的小型化。在电路基板中，也特别要求占较大面积的电源电路的小型化。而且，在电源电路中，也特别要求安装面积大的电感器的小型化。

2、对于电感器的小型化，将电源电路的驱动频率高频化特别有效。为了将电源电路的驱动频率高频化，需要可高频驱动的开关元件。

3、一直以来，电源电路用的开关元件由硅制作，因此，电源电路的驱动频率受限。这是由硅的物理特性的极限引起的问题。但是，近年来正在将gan或sic等物理特性比硅优异的半导体用于开关元件。

4、通过将gan等高频特性良好的半导体用于开关元件，可以进行开关元件的高频驱动，能够实现电源电路的高频驱动。例如，与以前的硅制的开关元件相比，由gan制作的开关元件可以进行很高的频率下的开关，能够以很高的频率驱动电源电路。

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【技术保护点】

1.一种纳米颗粒磁性膜，其中，

2.根据权利要求1所述的纳米颗粒磁性膜，其中，

3.根据权利要求1或2所述的纳米颗粒磁性膜，其中，

4.一种电子部件，其中，

【技术特征摘要】

1.一种纳米颗粒磁性膜，其中，

2.根据权利要求1所述的纳米颗粒磁性膜，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：天野一，荒健辅，吉留和宏，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：

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