【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、桥管芯将一个集成电路(ic)管芯耦合到集成电路(ic)封装上的另一个ic管芯。一些桥管芯被放置在ic封装上的深腔中，以便将桥管芯嵌入封装的电介质层内。诸如具有穿硅过孔(emib-t)的嵌入式多管芯互连桥(emib)的桥管芯具有底部，该底部具有电焊盘或接触部以耦合到金属化图案，诸如连接到腔的底部的导电再分布层(rdl)。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种电子封装，包括：
2.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述偏移为至少1微米。
3.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述水平平面还由所述一个或多个电介质材料层中的所述下电介质材料层与紧邻的较高电介质材料层之间的结限定。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子封装，其中，所述面向上的表面包括邻近至少两个相邻导电特征的两个部分和邻近的所述两个部分之间的中间部分，所述中间部分与所述水平平面的偏移不同于邻近的所述部分的偏移。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的电子封装，其中，所述面向上的表面在多个相邻对所述导电...
【技术特征摘要】
1.一种电子封装，包括：
2.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述偏移为至少1微米。
3.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述水平平面还由所述一个或多个电介质材料层中的所述下电介质材料层与紧邻的较高电介质材料层之间的结限定。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子封装，其中，所述面向上的表面包括邻近至少两个相邻导电特征的两个部分和邻近的所述两个部分之间的中间部分，所述中间部分与所述水平平面的偏移不同于邻近的所述部分的偏移。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的电子封装，其中，所述面向上的表面在多个相邻对所述导电特征之间，并且其中，所述偏移在各对所述导电特征之间是不同的。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的电子封装，其中，所述金属化层包括再分布层(rdl)。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的电子封装，其中，所述ic管芯是第一ic管芯，并且所述电子封装包括多个嵌入式ic管芯，所述多个嵌入式ic管芯包括至少一个第二ic管芯，所述至少一个第二ic管芯具有物理粘附到金属基底层的底表面，所述金属基底层延伸至少所述第二ic管芯的所述底表面的宽度，其中，所述第一ic管芯和所述第二ic管芯在至少一个相同的电介质材料层内。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的电子封装，其中，所述导电特征包括金属化图案的多个导电特征，并且其中，所述电子封装包括围绕所述金属化图案水平延伸并且具有内表面的构件，所述内表面横向啮合所述ic管芯与所述下电介质材料层之间的底部填充材料。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的电子封装，还包括至少一个混合接合互连，其中，至少一个所述导电特征直接连接到所述ic管芯的底部处的至少一个导电特征。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的电子封装，其中，所述ic管芯是桥管芯、具有穿硅过孔的嵌入式多管芯互连桥(emib-t)或芯粒中的至少一者。
11.一种制造电子...
【专利技术属性】
技术研发人员：康征，T·恩杜库姆，Y·金冈，J·埃克顿，段刚，J·卡普兰，Y·Y·李，刘铭禄，B·C·马林，聂白，S·皮耶塔姆巴拉姆，S·塞沙德里，单博涵，D·图兰，V·B·扎德，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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