一种直接调制激光器阵列芯片及其制作方法技术

本申请公开了一种直接调制激光器阵列芯片及其制作方法，涉及半导体激光器制作的技术领域，该直接调制激光器阵列芯片中设置至少两个输入路径和一个输出路径，所有输入路径共同耦合到一个输出路径中，形成激光器阵列，每个输入路径中设置一个激光器单元以及一个能够与之形成等效FP反馈腔的光栅结构，光栅结构均通过按照预定的图案对光栅材料刻蚀形成，且刻蚀穿过光栅结构并延伸至下方的间隔层中；本申请中的技术方案能够在激光器阵列中引入了光光谐振效应的同时，通过电子束曝光和干法刻蚀相结合的方式在单次刻蚀中获得具有不同反射率的多个光栅结构，减小了芯片制作的工艺复杂度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体激光器制作的，具体而言，涉及一种直接调制激光器阵列芯片及其制作方法。

技术介绍

1、高速调制半导体激光器是大容量光纤通信系统的核心器件。提升光纤通信系统容量包括两个重要手段，一个是采用波分复用(wdm)技术，另一个是提升半导体激光器的调制带宽。与多个不同波长独立封装的激光器相比，在采用wdm技术的光纤通信系统中使用单片集成多波长激光器芯片可以有效降低系统功耗并提升系统可靠性。半导体激光器的调制可通过直接调制和外调制两种方式实现，与外调制方式相比，直接调制半导体激光器具有功耗低、功率高及成本低的优点，在光纤通信系统中得到广泛应用。直接调制激光器的调制带宽受到激光器驰豫振荡频率的限制，为了突破这个限制可在激光器中引入光光谐振效应或偏移负载效应以提升激光器的调制能力。但是，光光谐振等效应的引入需要对器件端面反射率等参数进行精确控制，与单片集成多波长激光器阵列芯片的制作要求难于兼容。

技术实现思路

1、本申请的目的在于：针对现有技术中光光谐振等效应的引入与单片集成多波长激光器阵列芯片的制作要求难于兼容本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种直接调制激光器阵列芯片的制作方法，其特征在于，该方法包括：

2.如权利要求1所述的直接调制激光器阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤4具体包括：

3.如权利要求1所述的直接调制激光器阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤2还包括：在衬底(10)上生长缓冲层(20)，所述缓冲层(20)位于各个功能层与衬底(10)之间。

4.如权利要求1所述的直接调制激光器阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤6还包括：去除第一分布布拉格反射区的接触层材料。

5.如权利要求1所述的直接调制激光器阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，设置...

【技术特征摘要】

1.一种直接调制激光器阵列芯片的制作方法，其特征在于，该方法包括：

2.如权利要求1所述的直接调制激光器阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤4具体包括：

3.如权利要求1所述的直接调制激光器阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤2还包括：在衬底(10)上生长缓冲层(20)，所述缓冲层(20)位于各个功能层与衬底(10)之间。

4.如权利要求1所述的直接调制激光器阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤6还包括：去除第一分布布拉格反射区的接触层材料。

5.如权利要求1所述的直接调制激光器阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，设置至少3、4或5个输入路径。

6.如权利要求1所述的直接调制激光器阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述第二图案化光栅层(52)的厚度小于所述第一图案化光栅层(51)的厚度。

7....

【专利技术属性】
技术研发人员：姚广峰，付文锋，
申请(专利权)人：武汉国科光领半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：