一种波长可调谐电吸收调制激光器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种波长可调谐电吸收调制激光器及其制备方法，该激光器包括：衬底以及依次排列在衬底上的位于同一平面的第一调制器区、第一增益区、光栅区、第二增益区和第二调制器区；第一调制器区和第二调制器区的构成材料中均掺杂有磷离子；第一增益区和第二增益区用于在不同直流电作用下激发多种波长的激光；光栅区用于对所述多种波长进行选模；第一调制器区和第二调制器区作为出光端发射可调谐激光，实现双端激光发射。本发明专利技术通过背靠背对两个电吸收调制器和波长可调谐激光器进行集成，共用波长调谐区，实现带宽翻倍。通过一次有源材料和一次无源材料的外延生长，实现三种禁带宽度材料的集成，简化了制作工艺并提高了器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电子集成器件，尤其涉及一种波长可调谐电吸收调制激光器及其制备方法。

技术介绍

1、随着光通信的快速发展，远距离传输、前传回传网和数据中心等应用场景对光发射芯片的带宽和波长的稳定性提出了更高的要求。远距离传输对信号的衰减和噪声敏感，在数据中心和前传回传网中，光发射芯片需要支持多通道并行传输和高频率的波长调节，且必须在长时间运行中保持波长的稳定性。如何在这些复杂场景中维持高带宽、高稳定性的光发射性能，是当前光通信技术发展的关键挑战之一。

2、在现有光通信技术中，固定波长激光器通常用于光信号的发射。这种固定波长的设计大大限制了通信系统的带宽利用率。光通信系统通常需要在多个波长下同时传输信号，以便提高数据传输速率和系统的整体带宽。固定波长激光器只能提供单一的波长输出，无法灵活地适应多波长通信系统（例如波分复用技术），导致带宽的浪费和通信效率的低下。此外，很多激光器仍采用单端面发射的设计，这种设计会导致激光器在输出光功率和发射效率上非常低效。特别是在高功率应用中，单端面发射可能导致光束的能量分布不均匀，光纤耦合效率较低，系统整体的能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种波长可调谐电吸收调制激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的波长可调谐电吸收调制激光器，其特征在于，所述第一调制器区（1）、第一增益区（2）、第二增益区（4）和第二调制器区（5）的材料为InGaAsP或InGaAlAs量子阱材料。

3.根据权利要求1所述的波长可调谐电吸收调制激光器，其特征在于，所述衬底（11）的材料为N型磷化铟。

4.一种波长可调谐电吸收调制激光器的制备方法，用于制作如权利要求1-3所述的任一波长可调谐电吸收调制激光器，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的波长可调谐电吸收调制激光器的制备方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种波长可调谐电吸收调制激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的波长可调谐电吸收调制激光器，其特征在于，所述第一调制器区（1）、第一增益区（2）、第二增益区（4）和第二调制器区（5）的材料为ingaasp或ingaalas量子阱材料。

3.根据权利要求1所述的波长可调谐电吸收调制激光器，其特征在于，所述衬底（11）的材料为n型磷化铟。

4.一种波长可调谐电吸收调制激光器的制备方法，用于制作如权利要求1-3所述的任一波长可调谐电吸收调制激光器，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的波长可调谐电吸收调制激光器的制备方法，其特征在于，所述有源层（12）自下而上包括叠层设计的ingaasp下波导层、多量子阱层和上波导层。

6.根据权利要求4所述的波...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚广峰，付文锋，
申请(专利权)人：武汉国科光领半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：