【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种具有用于电源隔离的自对准氮化物的半导体装置。
技术介绍
1、半导体组件正在不断改进，以利用更小的特征大小可靠地操作。制造具有越来越高的性能同时满足可靠性规范的半导体装置是具有挑战性的。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
是为了以简化形式介绍所公开概念的简要选择，所述概念将在以下包含所提供的图式的具体实施方式中进一步描述。此
技术实现思路
不意欲限制所要求主题的范围。
2、在第一实例中，一种形成集成电路的方法包含形成电源隔离沟槽，所述电源隔离沟槽延伸到半导体衬底中。将氮化硅层沉积于所述半导体衬底上方。所述氮化硅层延伸到所述电源隔离沟槽中。形成浅隔离沟槽，所述浅隔离沟槽延伸穿过所述氮化硅层进入所述半导体衬底中。所述浅隔离沟槽与所述电源隔离沟槽间隔开。形成氧化物层，所述氧化物层填充所述浅隔离沟槽。去除所述电源隔离沟槽外部的所述氮化硅层。
3、在第二实例中，一种半导体装置包含衬底的半导体材料、第一沟槽和第二沟槽。所述半导体材料包含具有第一导电类型的主体区和具有第...
【技术保护点】
1.一种形成集成电路的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沟槽是电源隔离沟槽，且所述第二沟槽是浅隔离沟槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一沟槽包含形成且去除延伸到所述第一沟槽中的LOCOS氧化物区。
4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述氮化硅层在所述第一沟槽上方产生突出的第一沟槽，且所述氧化物层填充所述突出的第一沟槽。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沟槽内的所述氮化硅层的顶部表面位于所述半导体衬底的顶部表面下方。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在去除...
【技术特征摘要】
1.一种形成集成电路的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沟槽是电源隔离沟槽，且所述第二沟槽是浅隔离沟槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一沟槽包含形成且去除延伸到所述第一沟槽中的locos氧化物区。
4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述氮化硅层在所述第一沟槽上方产生突出的第一沟槽，且所述氧化物层填充所述突出的第一沟槽。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沟槽内的所述氮化硅层的顶部表面位于所述半导体衬底的顶部表面下方。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在去除所述氮化硅层之后，所述氧化物层的一部分保留在所述第一沟槽上方。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在去除所述氮化硅层之后，所述氮化硅层的一部分保留在所述第一沟槽内，所述氮化硅层部分具有与所述半导体衬底的顶部表面共面的顶部表面。
8.根据权利要求1所述的方法，其中在去除所述第一沟槽外部的所述氮化硅层之后，所述氮化硅层在所述第一沟槽内的剩余部分在所述半导体衬底的顶部表面之上延伸。
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括抛光所述氧化物层，由此去除所述氮化硅层的平面部分上方的所述氧化物层，且留下所述氧化物层在所述第一沟槽上方的剩余部分。
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括非选择性地...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·达马拉，R·卡塞尔，Z·卡茨，R·拉斯特，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。