【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造的，例如涉及一种晶圆切割方法及设备、裸片。
技术介绍
1、随着半导体行业的发展，市场对高性能、低成本的芯片需求日益增长。为了满足这一需求，晶圆制造工艺不断优化以降低成本，同时提升裸片的性能和可靠性。特别是对于low-k材料的晶圆，相关技术的晶圆切割工艺面临诸多挑战。
2、在相关技术中，常见的晶圆切割工艺主要依赖于纳秒激光开槽结合刀片或水刀切断的方式。然而，纳秒激光由于其较长的脉冲宽度，在切割过程中会产生显著的热效应，导致材料局部熔化、重铸，形成较大的热影响区。这不仅增加了表面粗糙度，还可能在芯片内部储存额外的应力，降低了裸片的抗应力能力。此外，刀片或水刀切断方式容易造成背崩，即在晶圆背面留下微裂纹或其他形式的机械损伤，严重影响芯片的质量和可靠性。
3、综上所述，相关技术中纳秒激光开槽结合刀片或水刀切断的晶圆切割工艺，由于热效应和机械损伤，导致较大的热影响区、表面粗糙度增加、内部应力积累以及背崩现象，从而降低了裸片的抗应力能力和整体可靠性。
4、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的...
【技术保护点】
1.一种晶圆切割方法，晶圆包括金属层和衬底层，其特征在于，晶圆切割方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，使用皮秒激光在晶圆中的每个切割道开设两条保护槽，包括：使用两束皮秒激光在晶圆中的每个切割道同时进行扫描，以形成两条保护槽。
3.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，使用宽束激光在每个切割道的两条保护槽之间的区域开设一条宽槽，包括：使用宽束激光在每个切割道的两条保护槽之间的区域进行多次扫描，以在两条保护槽之间形成一条宽槽。
4.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，使用皮秒激光对每个切割道的...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割方法，晶圆包括金属层和衬底层，其特征在于，晶圆切割方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，使用皮秒激光在晶圆中的每个切割道开设两条保护槽，包括：使用两束皮秒激光在晶圆中的每个切割道同时进行扫描，以形成两条保护槽。
3.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，使用宽束激光在每个切割道的两条保护槽之间的区域开设一条宽槽，包括：使用宽束激光在每个切割道的两条保护槽之间的区域进行多次扫描，以在两条保护槽之间形成一条宽槽。
4.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，使用皮秒激光对每个切割道的保护槽的边缘区域进行精修，包括：使用皮秒激光对每个切割道的保护槽的第一边缘区域进行精修，其中，第一边缘区域是切割道的顶面与保护槽的侧壁之间的过渡区域。
5.根据权利要求4所述的晶圆切割方法，其特征在于，使用皮秒激光...
【专利技术属性】
技术研发人员：王玲，刘静，马旭，
申请(专利权)人：紫光同芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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