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本公开涉及半导体制造的技术领域，公开了一种晶圆切割方法及设备、裸片，晶圆包括金属层和衬底层，晶圆切割方法包括：使用皮秒激光在晶圆中的每个切割道开设两条保护槽，其中，保护槽的深度大于切割道中金属层的厚度；使用宽束激光在每个切割道的两条保护槽之...
该专利属于紫光同芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过紫光同芯微电子有限公司授权不得商用。

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