【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子封装，具体涉及一种封装方法及结构。
技术介绍
1、目前，在3g/4g/5g无线通信大功率宏基站(macro remote radio unit，macrorru)或军民用大功率雷达中，通常会将射频组件，例如，射频功率放大器(rf poweramplifier，pa)或射频低噪声放大器(low noise amplifier，lna)等，固定在支撑结构内，以起到电学接地和耗热传导等作用。然而，在将射频组件固定在支撑结构内时，用于将法兰结构(也即射频组件中用于承载射频芯片的结构)与支撑结构结合起来的结合物的内部通常会存在一定比例的气体空洞，射频组件的位置也会在一定的范围内呈细微的随机波动。在射频组件的实际工作过程中，这些气体空洞的存在会使法兰结构与支撑结构在结合处的热阻急剧增加，从而导致射频组件的性能下降，甚至，在高温等极端工况下，还会导致射频组件的射频芯片被烧毁。而射频组件位置的波动，例如，射频组件远离输入端或输出端，也会导致射频组件的性能恶化，以及影响整机系统的指标和生产一致性。
技术实现思
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1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述法兰结构的截面呈梯形，所述法兰结构包括相对设置的第三侧壁和第四侧壁，所述第三侧壁和第四侧壁均与所述底面连接，所述第三侧壁的长度大于所述第四侧壁的长度，所述晶片的输入端或输出端位于所述第三侧壁的一端。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述晶片为射频功率放大芯片，所述射频功率放大芯片的输出端位于所述第三侧壁的一端。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述晶片为射频低噪声放大芯片，所述射频低噪声放大芯片的输入端位于...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述法兰结构的截面呈梯形，所述法兰结构包括相对设置的第三侧壁和第四侧壁，所述第三侧壁和第四侧壁均与所述底面连接，所述第三侧壁的长度大于所述第四侧壁的长度，所述晶片的输入端或输出端位于所述第三侧壁的一端。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述晶片为射频功率放大芯片，所述射频功率放大芯片的输出端位于所述第三侧壁的一端。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述晶片为射频低噪声放大芯片，所述射频低噪声放大芯片的输入端位于所述第三侧壁的一端。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述支撑结构包括一凹槽，所述凹槽由底部结构和侧壁结构所限定，所述底部结构的上表面为所述支撑面。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述凹槽的截面呈梯形，所述侧壁结构包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁与第二侧壁均与所述底部结构连接，在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间，沿垂直方向，所述第一侧壁的长度大于所述第二侧壁的长度。
7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述凹槽的截面呈三角形，所述侧壁结构包括第五侧壁，所述第五侧壁与所述底部结构连接。
8.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述法兰结构的底面与所述底部结构的上表面呈平...
【专利技术属性】
技术研发人员：周永强，王世军，徐哲，
申请(专利权)人：南京矽力微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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