【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于金刚石振膜制备领域，涉及一种金刚石振膜生长用钼台及振膜的制备方法。
技术介绍
1、金刚石振膜是一种在微电子器件中常见的元件，具有一些独特的特性和应用。金刚石振膜的优点包括高硬度、低质量、超高频响应、低失真、高温稳定性、耐腐蚀性和长寿命等特性，这些特点使其成为高端音频设备中的理想选择，特别是用于高保真度和高性能的音响应用。
2、微波化学气相沉积法（mpcvd）凭借其等离子体密度大、无电极污染等优势，成为制备高品质金刚石膜的首选方案。但是该工艺技术的金刚石振膜生长过程中存在“边缘效应”，导致生长的金刚石振膜边缘厚中心薄，衬底降温过程的金刚石振膜易破裂、甚至于无法脱模。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术的目的之一在于提供一种钼台，该钼台结构简单，可重复使用，成本低，使用过程中可减缓振膜的边缘效应，使振膜的厚度较为均匀。
2、本专利技术的目的之二在于提供一种金刚石振膜的制备方法。
3、为实现上述目的，本专利技术所采用的技术
【技术保护点】
1.一种钼台，其特征在于，包括底座，所述底座的上表面设置生长圆柱，所述生长圆柱的顶部为凸球面，所述凸球面与生长圆柱的侧面之间设置圆环凹槽。
2.如权利要求1所述的钼台，其特征在于：
3.一种金刚石振膜的制备方法，其特征在于，使用权利要求1或2所述的钼台，包括以下步骤：
4.如权利要求3所述的金刚石振膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，钼台使用前先进行清洗、干燥；
5.如权利要求3所述的金刚石振膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）具体为：将钼台放进沉积腔体中，将沉积腔体的压强抽至0.3~0.8Pa，通入氢气，当压强升至...
【技术特征摘要】
1.一种钼台，其特征在于，包括底座，所述底座的上表面设置生长圆柱，所述生长圆柱的顶部为凸球面，所述凸球面与生长圆柱的侧面之间设置圆环凹槽。
2.如权利要求1所述的钼台，其特征在于：
3.一种金刚石振膜的制备方法，其特征在于，使用权利要求1或2所述的钼台，包括以下步骤：
4.如权利要求3所述的金刚石振膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，钼台使用前先进行清洗、干燥；
5.如权利要求3所述的金刚石振膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）具体为：将钼台放进沉积腔体中，将沉积腔体的压强抽至0.3~0.8pa，通入氢气，当压强升至2~3kpa后，开启微波，将沉积腔体的温度升至600...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋以晨，周泽华，王临喜，劳逸张宁，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：浙江先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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