一种多晶金刚石振膜的制备方法技术

技术编号:44878708 阅读:19 留言:0更新日期:2025-04-08 00:17
本发明专利技术属于金刚石振膜制备领域,公开了一种多晶金刚石振膜的制备方法。包括以下步骤:(1)将脱模剂涂覆或镀在钼台上,所述脱模剂为石墨乳水溶液或者碳膜,石墨乳水溶液中,石墨乳和水的体积比为1:3~10;(2)将钼台置于MPCVD设备的沉积腔内进行金刚石振膜沉积;(3)沉积完成后,降温脱膜。本发明专利技术通过对生长钼台上表面进行预处理,增加过渡层,通过石墨乳或碳膜润滑、均匀的特性,改善金刚石振膜的成型条件,克服了衬底降温过程的破裂和无法脱模的缺点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于金刚石振膜制备领域,更具体的,涉及一种多晶金刚石振膜的制备方法


技术介绍

1、金刚石振膜的优点包括高硬度、低质量、超高频响应、低失真、高温稳定性、耐腐蚀性和长寿命等特性,这些特点使其成为高端音频设备中的理想选择,特别是用于高保真度和高性能的音响应用。

2、众所周知,化学气相沉积法(cvd)凭借其诸多优势,成为制备金刚石振膜的主流方法,然而其生产过程中也存在不少问题,具体如下:

3、现有技术制备(cvd法制备金刚石振膜)金刚石振膜时多采用硅片作为生长衬底,生长完成后再将硅片用酸液或碱液溶掉,最终得到金刚石振膜,生产成本高,并且产生污染物,不利于产业化生产。

4、然而,mpcvd技术制备的金刚石振膜,在生长过程中存在边缘效应,导致生长的金刚石振膜厚度不均匀,衬底降温过程的金刚石振膜易破裂、成品率,不利于产业化生产。


技术实现思路

1、针对现有技术中存在的上述问题,本专利技术的目的在于提供一种多晶金刚石振膜的制备方法,该制备方法通过生长钼台上表面进行预处理,改善金本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多晶金刚石振膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的多晶金刚石振膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述石墨乳水溶液涂覆后的成膜厚度为5~10μm;

3.如权利要求1所述的多晶金刚石振膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述碳膜的厚度为5~10μm;

4.如权利要求1所述的多晶金刚石振膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,钼台使用前先进行清洗、第一次烘干;优选依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗钼台;优选第一次烘干温度为60~100℃;

5.如权利要求1所述的多晶金刚石振膜的制备方法,其特征在于,步骤...

【技术特征摘要】

1.一种多晶金刚石振膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的多晶金刚石振膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述石墨乳水溶液涂覆后的成膜厚度为5~10μm;

3.如权利要求1所述的多晶金刚石振膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述碳膜的厚度为5~10μm;

4.如权利要求1所述的多晶金刚石振膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,钼台使用前先进行清洗、第一次烘干;优选依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗钼台;优选第一次烘干温度为60~100℃;

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【专利技术属性】
技术研发人员:王临喜周泽华蒋以晨劳逸张宁请求不公布姓名请求不公布姓名
申请(专利权)人:浙江先导微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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