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本发明属于金刚石振膜制备领域，公开了一种振膜的制备方法及钼台。所述钼台包括底座，底座上表面设置生长圆柱，生长圆柱的顶部为凸球面，凸球面与生长圆柱的侧面之间设置圆环凹槽。金刚石振膜的制备方法包括将钼台放进沉积腔体中，通入氢气和甲烷，进行初期形...
该专利属于浙江先导微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江先导微电子科技有限公司授权不得商用。

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