【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种具有碳化硅部分和玻璃结构的半导体装置。更特别地，本公开涉及一种高电压半导体装置，所述高电压半导体装置具有用于高阻断电压能力的带有玻璃结构的边缘终止结构。
技术介绍
1、在垂直功率半导体装置中，在导通模式中，负载电流在垂直方向上在半导体管芯的前侧和后侧之间流动。在阻断模式中，垂直功率半导体装置承受大端子电压。例如，功率半导体二极管在导通模式中被正向偏置并且在阻断模式中被反向偏置，并且功率半导体开关在接通时处于导通模式并且在断开时处于阻断模式。功率半导体装置能够承受的最大端子电压是阻断电压。阻断电压取决于功率半导体装置的材料性质和设计。由于半导体管芯的侧向表面比较粗糙并且具有低晶体质量，所以后侧电势通常沿着半导体管芯的边缘被带到前侧以使半导体管芯的侧向表面保持没有电场，并且终止区中的侧向场终止结构对电场进行整形以避免场拥挤并且确保高阻断电压。
2、持续地需要具有高阻断电压能力的面积高效功率半导体装置。
技术实现思路
1、替代于提供消耗面积的侧向场终止结构，本公开的实施...
【技术保护点】
1.一种半导体装置(500)，包括：
2.如前一权利要求所述的半导体装置，
3.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，
4.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，
5.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
6.如前一权利要求所述的半导体装置，
7.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，
8.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，
9.如前一权利要求所述的半导体装置，
10.如前一权利要求所述的半导体装置，还包括：
11.如前一权利要求所
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置(500)，包括：
2.如前一权利要求所述的半导体装置，
3.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，
4.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，
5.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
6.如前一权利要求所述的半导体装置，
7.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，
8.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置，
9.如前一权利要求所述的半导体装置，
10.如前一权利要求所述的半导体装置，还包括：
11.如前一权利要求所述的半导体装置，
12.如权利要求10所述的半导体装置，
13.如前一权利要求所述的半导体装置，
14.如前一权利要求所述的半导体装置，
15.如权利要求10至14中任一项所述的半导体装置，
16.如权利要求10至14中任一项所述的半导体装置，
17.如前一权利要求和权利要求7所述的半导体装置，还包括：
18.如前一权利要求所述的半导体装置，
19.如权利要求17所述的半导体装置，还包括：
20....
【专利技术属性】
技术研发人员：R·埃尔佩尔特，F·J·桑托斯罗德里格斯，B·齐佩利乌斯，A·韦莱，A·布雷梅瑟，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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