【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电探测器件，涉及一种硅基超表面光谱探测器的制备及光谱探测方法。
技术介绍
1、光谱仪作为分析物质成分的重要工具，在化学分析、环境监测、生物医学、材料科学等领域发挥着关键作用。传统的光谱仪通常采用棱镜或光栅作为分光元件，虽然能够实现光谱的分离，但存在体积庞大、结构复杂、成本高昂等问题，限制了其在便携式设备和现场检测中的应用。
2、随着微纳光学技术的发展，基于超表面的光谱仪因其小型化、轻量化和低成本的特点而受到广泛关注。超表面(metasurface)是由大量亚波长尺度的单元结构组成的二维阵列，能够对光波进行幅度、相位、偏振等特性的调控。通过精确设计超表面的单元结构和排列，可以实现对特定波长光波的选择性传输、反射或聚焦，从而实现光谱的高效分离。而硅基材料因其成熟的制备工艺、良好的光学和热稳定性，成为超表面光谱仪的理想选择。但是，现有的硅基超表面光谱仪在光谱分辨率、波长选择性、环境适应性等方面仍存在不足。此外，超表面的制备工艺复杂，难以实现大规模生产，限制了其商业化应用。
技术实现思路<
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【技术保护点】
1.一种硅基超表面光谱探测器的制备方法，其特征在于，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅基超表面通过以下过程制备：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述超表面结构包括N*N的超像素阵列，每个所述的超像素包括若干个单元结构排列形成的M*M阵列，所述的单元结构具有不同的长、宽和周期。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述单元结构的长在0.4～1.2μm之间，宽在0.4～1.2μm之间，周期为长的1.4～2倍。
5.基于权利要求1～4中任一项所述硅基超表面光谱探测器的光谱探测方法，...
【技术特征摘要】
1.一种硅基超表面光谱探测器的制备方法，其特征在于，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅基超表面通过以下过程制备：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述超表面结构包括n*n的超像素阵列，每个所述的超像素包括若干个单元结构排列形成的m*m阵列，所述的单元结构具有不同的长、宽和周期。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述单元结构的长在0.4～1.2μm之间，宽在0.4～1.2μm之间，周期为长的1.4～2倍。
5.基于权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾瑀，汤林龙，文鑫皓，霞朝杰，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：
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