【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高纯金属制备领域，尤其涉及一种气态砷化物催化裂解的方法及装置。
技术介绍
1、高纯砷作为半导体和电子材料中的重要基础原料，主要用于制备砷化物半导体，如砷化镓(gaas)和砷化铟(inas)，这些材料在集成电路、光通信等高频应用中具有不可替代的作用。高纯砷的高迁移率和独特的电子特性使其在微电子和光电子领域备受重视。然而，高纯砷的制备面临着杂质控制难、储存易污染的问题，这直接影响半导体器件的质量和性能。
2、目前，高纯砷的制备主要包括氯化法和蒸馏法。氯化法通过将砷与氯气反应生成砷氯化物，再通过还原得到砷。然而，该方法存在较大问题，尤其是在反应过程中生成的氯化物常常带有较多的金属杂质，且氯化过程中设备易腐蚀，增加了操作的复杂性。蒸馏法是另一种常用的制备方法，通过蒸馏提纯砷。然而，蒸馏法的弊端在于其操作温度较高，且由于温度控制难度较大，容易造成设备损坏、污染物残留以及能量浪费，从而限制了其在高纯砷制备中的应用。
3、高温热解虽然能够分解砷烷并释放出高纯砷，但在实际应用中，高温热解的过程中会出现不完全分解的现...
【技术保护点】
1.一种气态砷化物催化裂解的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的气态砷化物催化裂解的方法，其特征在于，所述过渡金属包括钴、镍、铜或锰；所述贵金属包括金、银或铂。
3.根据权利要求1所述的气态砷化物催化裂解的方法，其特征在于，所述催化裂解的温度为120 ℃~250 ℃；催化裂解的时长为1~2h。
4.根据权利要求1所述的气态砷化物催化裂解的方法，其特征在于，所述冷凝的温度比所述催化裂解的温度低50~150 ℃；冷凝的时长为1~2h。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的气态砷化物催化裂解的方法，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种气态砷化物催化裂解的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的气态砷化物催化裂解的方法，其特征在于，所述过渡金属包括钴、镍、铜或锰；所述贵金属包括金、银或铂。
3.根据权利要求1所述的气态砷化物催化裂解的方法，其特征在于，所述催化裂解的温度为120 ℃~250 ℃；催化裂解的时长为1~2h。
4.根据权利要求1所述的气态砷化物催化裂解的方法，其特征在于，所述冷凝的温度比所述催化裂解的温度低50~150 ℃；冷凝的时长为1~2h。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的气态砷化物催化裂解的方法，其特征在于，所述气态砷化物在微正压条件下进行催化裂解，所述微正压的压力为0.001~0.02 mpa...
【专利技术属性】
技术研发人员：王庆伟，柴立元，赵飞平，向鸿锐，梁彦杰，颜旭，张理源，史美清，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：
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