【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆偏移的检测装置及检测方法。
技术介绍
1、为了提高芯片的散热效率，减小芯片封装体积，减少芯片内部应力，提高电气性能，需要对晶圆进行减薄。晶圆减薄工艺并不是对晶圆的整个平面进行减薄，而是仅对晶圆的中间部分进行减薄，减薄的部分形成晶圆主体，晶圆的边缘部分不进行减薄，不进行减薄的晶圆边缘部分形成薄化环。通过切割刀片对所述减薄后的晶圆进行一次切割，去除所述薄化环，对去除薄化环后的晶圆主体进行二次切割，形成多个单个芯片。
2、然而，在晶圆切割工艺过程中，存在生产效率降低的问题。因此如何提供技术方案，提高生产效率，成为了本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是通过提供一种晶圆偏移的检测装置及检测方法，以提高生产效率。
2、为了解决上述问题，本专利技术实施例提供一种晶圆偏移的检测装置，所述晶圆具有定位槽；所述检测装置，包括：基板，用于承载所述晶圆；定位标识，位于所述基板上；探测单元，用于向所述基...
【技术保护点】
1.一种晶圆偏移的检测装置，其特征在于，所述晶圆具有定位槽；
2.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述探测单元和所述采集单元位于所述基板承载晶圆的同侧。
3.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述探测单元和所述采集单元位于所述基板相对的一侧，且所述采集单元位于所述基板承载晶圆的一侧，所述探测单元位于背向所述基板承载晶圆的一侧。
4.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述检测装置，还包括：固定环，用于固定承载有晶圆的基板，所述固定环的内直径大于所述晶圆的直径，以使所述定位标识设置于所述晶圆的边缘与所述固定环的内壁之
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆偏移的检测装置，其特征在于，所述晶圆具有定位槽；
2.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述探测单元和所述采集单元位于所述基板承载晶圆的同侧。
3.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述探测单元和所述采集单元位于所述基板相对的一侧，且所述采集单元位于所述基板承载晶圆的一侧，所述探测单元位于背向所述基板承载晶圆的一侧。
4.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述检测装置，还包括：固定环，用于固定承载有晶圆的基板，所述固定环的内直径大于所述晶圆的直径，以使所述定位标识设置于所述晶圆的边缘与所述固定环的内壁之间的基板上。
5.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：栾经纬，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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