【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体,特别涉及一种极紫外光产生方法。
技术介绍
1、随着芯片集成度的不断提高,要求光刻(photolithography)的特征尺寸不断减小。极紫外(euv,extreme ultraviolet)光源是新发展起来的光源,极紫外光源产生的曝光光线的波长为13.5纳米或者更小,将极紫外光源应用于曝光系统时,可以获得很小的光刻特征尺寸。
2、目前,产生极紫外光的主流方式是激光产生等离子体辐射方式(lpp,laserproduced plasma),该方式的原理是:激光源产生激光束轰击锡(sn)靶材,由此激发等离子体,等离子向外辐射极紫外光。然而,激光产生等离子体辐射方式仍存在成本高、寿命短、稳定性差等诸多问题,因此,亟需一种成本低且稳定的极紫外光产生方案。
技术实现思路
1、有鉴于此,本申请实施例提供了一种极紫外光产生方法。本申请一个或者多个实施例同时涉及一种极紫外光源组件以及一种光学系统,以解决现有技术中存在的技术缺陷。
2、根据本申请实施例的第一方
...【技术保护点】
1.一种极紫外光产生方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述指定重金属包括锡粉、钨粉、镍粉、钽粉中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述磁约束装置包括托卡马克、仿星器、磁镜、场反位形、反场箍缩中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制重金属注入装置向所述磁约束装置中注入指定重金属,包括:
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述控制重金属注入装置向所述磁约束装置中持续注入目标质量的指定重金属之前,还包括:
6.根据权利要求1所
...【技术特征摘要】
1.一种极紫外光产生方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述指定重金属包括锡粉、钨粉、镍粉、钽粉中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述磁约束装置包括托卡马克、仿星器、磁镜、场反位形、反场箍缩中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制重金属注入装置向所述磁约束装置中注入指定重金属,包括:
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述控制重金属注入装置向所述磁约束装置中持续注入目标质量的指定重金属之前,还包括:
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制重金属注入装置向所述磁约束装置中注入指定重金属之前,还包括:
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述根据所述等离子体参数确定所述等离子体是否满足预设注入条件之后,还包括:
8.根据权利要求1所述的方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:谭熠,陈锐,
申请(专利权)人:陕西星环聚能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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