一种碳化硅生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种碳化硅生长装置，包括石墨坩埚、第一加热组件和第二加热组件；所述石墨坩埚用于容纳硅溶液；所述第一加热组件设置在所述石墨坩埚的底壁处，所述第一加热组件用于减少所述硅溶液在所述石墨坩埚径向上的温度梯度；所述第二加热组件设置在所述石墨坩埚的侧壁处，所述第二加热组件用于减少所述硅溶液在所述石墨坩埚轴向上的温度梯度。第一加热组件和第二加热组件的实际效果可以互补，通过第一加热组件和第二加热组件的相互配合，可以使硅溶液在石墨坩埚轴向和径向上的温度均匀性同时获得提升，有效提升了籽晶杆下端温度的可控性和可预测性，籽晶杆下端温度能够很好地维持在碳化硅的理想生长温度范围，以此提升碳化硅的生长质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅生长领域，特别是涉及一种碳化硅生长装置。

技术介绍

1、碳化硅的生长过程大体上如下：在石墨坩埚内投放硅料，加热组件对硅料加热以形成硅溶液，同时石墨坩埚中所含有的碳元素进入硅溶液中，从而在籽晶杆的下端的籽晶上生长碳化硅。

2、石墨坩埚内硅溶液的温度均匀性较差，因此籽晶杆下端温度较难控制。此外随着碳化硅的生长，硅溶液的液面会逐渐下降，由此引发硅溶液的温度分布持续变化，导致籽晶杆下端温度的不可控程度增加。基于上述原因，籽晶杆下端温度很容易脱离碳化硅的理想生长温度范围，造成了碳化硅生长质量不佳的问题。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对籽晶杆下端温度可控性不足，导致碳化硅生长质量不佳的问题，提供一种碳化硅生长装置。

2、一种碳化硅生长装置，包括石墨坩埚、第一加热组件和第二加热组件；

3、所述石墨坩埚用于容纳硅溶液；

4、所述第一加热组件设置在所述石墨坩埚的底壁处，所述第一加热组件用于减少所述硅溶液在所述石墨坩埚径向上的温度梯度；

5、所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅生长装置，其特征在于，包括石墨坩埚(1)、第一加热组件(2)和第二加热组件(3)；

2.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述第二加热组件(3)包括若干加热环，所述加热环环设在所述石墨坩埚(1)的外侧壁上。

3.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述第二加热组件(3)包括加热管，所述加热管在所述石墨坩埚(1)的外侧壁上绕所述石墨坩埚(1)的轴线呈螺旋状延伸。

4.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述第一加热组件(2)包括基板(21)、第一加热器(22)以及至少两个第二加热器(23)，所述基板(2...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅生长装置，其特征在于，包括石墨坩埚(1)、第一加热组件(2)和第二加热组件(3)；

2.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述第二加热组件(3)包括若干加热环，所述加热环环设在所述石墨坩埚(1)的外侧壁上。

3.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述第二加热组件(3)包括加热管，所述加热管在所述石墨坩埚(1)的外侧壁上绕所述石墨坩埚(1)的轴线呈螺旋状延伸。

4.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述第一加热组件(2)包括基板(21)、第一加热器(22)以及至少两个第二加热器(23)，所述基板(21)与所述石墨坩埚(1)的底部外壁贴合，所述第一加热器(22)与所述第二加热器(23)均安装在所述基板(21)上，所述第二加热器(23)环设在所述第一加热器(22)的周侧。

5.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述碳化硅生长装置还包括籽晶杆(4)和电子温度计(5)，所述籽晶杆(4)的下端和所述电子温度计(5)均位于所述石墨坩埚(1)内，所述籽晶杆(4)下端和所述石墨坩埚(1)底部内壁之间的间距等于所述电子温度计(5)和所述石墨坩埚(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢伟群，杨珂，陈王华，皮孝东，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：