碳化硅单晶的制造方法、回归模型生成装置、组成推定装置、程序、记录介质、回归模型生成方法及组成推定方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种SiC单晶的制造方法，在溶液生长法中，将在SiC单晶的制造中使用的已使用溶液再次作为SiC单晶的制造原料进行再利用。一种碳化硅单晶的制造方法，其具备：(a)准备含有硅和碳的溶液(20)的工序；以及(b)使碳化硅的晶种(30)与溶液(20)接触而使碳化硅单晶在晶种(30)的晶体生长面(30a)上生长的工序，作为(a)工序中的溶液(20)的原料，使用在先前进行的碳化硅单晶的制造方法中使用过的溶液的固化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及由碳化硅构成的单晶的制造方法。

技术介绍

1、例如，作为对汽车、家电产品等所包含的马达进行控制的电路，使用逆变器电路。在该逆变器电路中，使用以功率mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulated gate bipolartransistor，绝缘栅双极晶体管)为代表的功率半导体元件。

2、对于这样的功率半导体元件，例如，除了高耐压以外，还要求低导通电阻、低开关损耗。在此，功率半导体元件当前的主流是在以硅为主成分的半导体基板上形成的场效应晶体管，但该功率半导体元件接近理论上的性能极限。

3、关于该点，包含形成于以带隙比硅大的半导体材料为主成分的半导体基板的场效应晶体管的半导体元件(以下，称为宽带隙功率半导体元件)受到关注。

4、这是因为，带隙大意味着具有高的绝缘击穿强度，因此容易实现高耐压。

5、并且，如果半导体材料自身具有高的绝缘击穿强度，则即使使保持耐压的漂移层变薄也能够本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅单晶的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，在所述(a)工序中，在所述固化物中添加不足的元素来调整组成。

3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，添加硅作为所述不足的元素。

4.根据权利要求2所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，基于所述固化物的组成分析的结果来算出所述不足的元素的添加量。

5.根据权利要求4所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，通过荧光X射线分析装置即XRF、分析型扫描电子显微镜即SEM-EDS或利用ICP发光分光分析法的分析装置来进行所述组成分析。</p>

6.根据...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种碳化硅单晶的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，在所述(a)工序中，在所述固化物中添加不足的元素来调整组成。

3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，添加硅作为所述不足的元素。

4.根据权利要求2所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，基于所述固化物的组成分析的结果来算出所述不足的元素的添加量。

5.根据权利要求4所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，通过荧光x射线分析装置即xrf、分析型扫描电子显微镜即sem-eds或利用icp发光分光分析法的分析装置来进行所述组成分析。

6.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，所述使用过的溶液的固化物在除去所含有的杂晶后使用。

7.根据权利要求6所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，通过切出所述使用过的溶液的固化物的内部来进行所述杂晶的除去。

8.根据权利要求2所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，在先前以相同条件进行使用了所述使用过的溶液的固化物的碳化硅单晶的制造的情况下，基于在所述相同条件下进行的所述碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部舞，田中谦弥，
申请(专利权)人：株式会社博迈立铖，
类型：发明
国别省市：