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碳化硅单晶的制造方法、回归模型生成装置、组成推定装置、程序、记录介质、回归模型生成方法及组成推定方法制造方法及图纸
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文档序号:44717496
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本发明提供一种SiC单晶的制造方法,在溶液生长法中,将在SiC单晶的制造中使用的已使用溶液再次作为SiC单晶的制造原料进行再利用。一种碳化硅单晶的制造方法,其具备:(a)准备含有硅和碳的溶液(20)的工序;以及(b)使碳化硅的晶种(30)与...
该专利属于株式会社博迈立铖所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社博迈立铖授权不得商用。
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