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本发明涉及一种碳化硅生长装置，包括石墨坩埚、第一加热组件和第二加热组件；所述石墨坩埚用于容纳硅溶液；所述第一加热组件设置在所述石墨坩埚的底壁处，所述第一加热组件用于减少所述硅溶液在所述石墨坩埚径向上的温度梯度；所述第二加热组件设置在所述石墨...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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