基于声表面波的low-k薄膜粘附性二维扫描检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基于声表面波的low‑k薄膜粘附性二维扫描检测装置，包括薄膜粘附性二维扫描检测平台，三维电控平台，三维移动样品测试平台，导轨，电动滑块，压电探测器，激光器，其中，三维电控平台设置在薄膜粘附性二维扫描检测平台上；三维移动样品测试平台固定在三维电控平台上，其所在平面与三维移动样品测试平台所在平面平行，导轨设置在薄膜粘附性二维扫描检测平台上，电动滑块能够在导轨上滑移；设三维电控平台的平动轴为相互垂直的第一轴和第二轴，导轨与第二轴平行；压电探测器通过固定支架与电动滑块固定连接。本发明专利技术同时提供所述的基于声表面波的low‑k薄膜粘附性二维扫描检测装置实现的扫描检测方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于声表面波技术的low-k薄膜粘附性二维扫描检测装置，可以实现对不同尺寸的晶圆(wafer)中low-k薄膜粘附性的二维扫描检测。

技术介绍

1、声表面波(saw)在薄膜/衬底分层结构中传播时，saw的能量主要集中在薄膜处，高频的表面波波长较短，受薄膜层的影响较大，更能反映出薄膜中的情况，低频的表面波波长较长，受基底层的影响较大，相对来说更能反映出基底中的情况。显然，saw在薄膜/衬底分层结构中传播时会发生频散现象，即saw的波速是随着saw的频率变化而变化的。需要说明的是，此处对薄膜“薄”的定义一般为薄膜的厚度小于saw的波长。

2、薄膜/衬底间的粘附特性是集成电路工艺中所关注的一个至关重要的特性。差的粘附特性会严重影响工艺及后续产品的可靠性，首当其冲的就是工艺步骤中的化学机械抛光(cmp)，差的层间粘附性会导致在cmp工艺中薄膜层的断裂、分层以及脱落。在以往的研究中，将内聚力(czm)模型引入到声表面波技术中可实现薄膜粘附性的检测，并且czm-saw技术在完成粘附性测量的同时也实现了薄膜/衬底间界面粘附性的无损、量化、系本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于声表面波的low-k薄膜粘附性二维扫描检测装置，包括薄膜粘附性二维扫描检测平台13，三维电控平台2，三维移动样品测试平台1，导轨8，电动滑块9，压电探测器14，激光器4，光路系统和数据处理系统，其中，

2.根据权利要求1所述的基于声表面波的low-k薄膜粘附性二维扫描检测装置，其特征在于，在三维移动样品测试平台1上开设有用于放置不同尺寸测试样片的多个卡槽。

3.采用权利要求1和2任意一项所述的基于声表面波的low-k薄膜粘附性二维扫描检测装置实现的扫描检测方法，其特征在于，扫描检测过程包括：

【技术特征摘要】

1.一种基于声表面波的low-k薄膜粘附性二维扫描检测装置，包括薄膜粘附性二维扫描检测平台13，三维电控平台2，三维移动样品测试平台1，导轨8，电动滑块9，压电探测器14，激光器4，光路系统和数据处理系统，其中，

2.根据权利要求1所述的基于声表面波的l...

【专利技术属性】
技术研发人员：戚海洋，潘孙强，刘素梅，赵雷，邓超，苗钰阳，
申请(专利权)人：浙江省质量科学研究院，
类型：发明
国别省市：